CSD16415Q5B

配单专家企业名单

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CSD16415Q5B
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512微信同号
地址：上步工业区501栋410室
30000
TI/德州仪器
SOP8
23+
-
原装正品欢迎咨询

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深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：林S
电话：400-666-5385
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
3000
TI/德州仪器
SOP8
21+
-
百域芯优势实单必成可开13点增值税

CSD16415Q5B
深圳市深科创科技有限公司
深圳市深科创科技有限公司
联系人：吴先生/吴小姐/朱先生
电话：0755-832472900755-828652018324751083223957
地址：深圳市福田区航都大厦17F1可提供13%增值税发票
7500
TI/德州仪器
NA
2020+
-
全新原装现货渠道优势库存假一罚十

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深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
3000
TI/德州仪器
SOP-8
19+
-
订货中可预订

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CSD16415Q5B 技术参数

CSD16415Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.15 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4100pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD16414Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.9 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3650pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD16413Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.9 毫欧 @ 24A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1780pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD16412Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），52A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:530pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（5x6）标准包装:1 CSD16411Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），56A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:570pF @ 12.5V 功率 - 最大值:2.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD17306Q5A CSD17307Q5A CSD17308Q3 CSD17308Q3T CSD17309Q3 CSD17310Q5A CSD17311Q5 CSD17312Q5 CSD17313Q2 CSD17313Q2Q1 CSD17313Q2Q1T CSD17313Q2T CSD17318Q2 CSD17318Q2T CSD17322Q5A CSD17327Q5A CSD17381F4 CSD17381F4T