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CSD86336Q3D
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
29287
TI/德州仪器
N/A
21+
-
瑞智芯，只有原装

CSD86336Q3D
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
2485
TI/德州仪器
NA
17+
-

CSD86336Q3DT
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
100
TI
NA
23+
-
现货！就到京北通宇商城

CSD86336Q3DT
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
TI
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

CSD86336Q3D
深圳市德江源电子有限公司
深圳市德江源电子有限公司
联系人：张先生
电话：8296641615986789713
地址：深圳市福田区华强北街道振华路100号深纺大厦C座1A层1A621室
资质：营业执照
10000
TI/德州仪器
VSON-CLIP-8
19+
-
只做原装，假一赔十

CSD86336Q3D
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
23315
Texas Instruments
SMD
22+
-
授权分销商，可追溯原厂可含税

CSD86336Q3D
深圳市恒科翔业电子有限公司
深圳市恒科翔业电子有限公司
联系人：郑
电话：0755-8323836017302646294
地址：华强北路华强广场B座27D
24000
TI德州仪器
22+
-
原装正品现货，实单可谈，量大价优

CSD86336Q3D
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
0
Ti
(DPB)
20
-
瑞智芯只有原装

CSD86336Q3D
深圳庞田科技有限公司
深圳庞田科技有限公司
联系人：吴小姐
电话：13612858787
地址：深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A
9000
TI/德州仪器
VSON-CLIP-8
21+原装
-
庞田无假货，只做原装正品，货真价实欢迎前...

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CSD86336Q3D 技术参数

CSD86330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.6 毫欧 @ 14A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:920pF @ 12.5V 功率 - 最大值:6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerLDFN 供应商器件封装:8-LSON（5x6）标准包装:1 CSD86330EVM-717 功能描述:CSD86330, TPS53219 NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件状态:有效主要用途:DC/DC，步降输出和类型:1，非隔离功率 - 输出:- 电压 - 输出:1.2V 电流 - 输出:5A 电压 - 输入:9 V ~ 13.2 V 稳压器拓扑:降压频率 - 开关:500kHz 板类型:完全填充所含物品:板使用的 IC/零件:CSD86330，TPS53219 标准包装:1 CSD86311W1723 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:39 毫欧 @ 2A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:585pF @ 12.5V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:12-UFBGA，DSBGA 供应商器件封装:12-DSBGA（1.53x1.98）标准包装:1 CSD85312Q3E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2?N 沟道（双）共源 FET 功能:逻辑电平栅极，5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:39A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12.4 毫欧 @ 10A，8V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2390pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD85302LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-XFLGA 供应商器件封装:4-Picostar（1.31x1.31）标准包装:1 CSD87333Q3DT CSD87334Q3D CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT

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