CSD882P

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

CSD882P
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210479162106431621045786210493162104891
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
ETC
原厂封装
07/08+
-
全新原装100%正品保证质量

CSD882P
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
3000
ETC
原厂封装
07/08+
-

CSD882P
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19
资质：营业执照
6000
ETC
TO
22+
-
十年配单，只做原装

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深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
ETC
TO
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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制造商
CDIL
制造商全称
Continental Device India Limited
功能描述
Audio Frequency Power Amplifier and Low Speed Switching Applications

CSD882P 技术参数

CSD87588NT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:736pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:5-LGA 供应商器件封装:5-PTAB（5x3.5）标准包装:1 CSD87588N 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.6 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:736pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:5-XFLGA 供应商器件封装:5-PTAB（3x2.5）标准包装:1 CSD87503Q3ET 功能描述:30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件状态:在售 FET 类型:2 N 沟道（双）共源 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:17.4nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1020pF @ 15V 功率 - 最大值:15.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-VSON（3.3x3.3）标准包装:1 CSD87502Q2T 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平栅极，5V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:32.4 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:353pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-WSON（2x2）标准包装:1 CSD87501LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）共漏 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:10-XFBGA 供应商器件封装:10-Picostar（3.37x1.47）标准包装:1 CSD95372BQ5M CSD95372BQ5MC CSD95372BQ5MCT CSD95372BQ5MT CSD95373AQ5M CSD95373BQ5M CSD95373BQ5MT CSD95375Q4M CSD95377Q4M CSD95377Q4MT CSD95378BQ5M CSD95378BQ5MC CSD95378BQ5MCT CSD95378BQ5MT CSD95379Q3M CSD95379Q3MT CSD95472Q5MC CSD95472Q5MCT