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CURMT106-HF

配单专家企业名单
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  • CURMT106-HF
    CURMT106-HF

    CURMT106-HF

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 39245

  • Comchip

  • SOD-123H

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • CURMT106-HF
    CURMT106-HF

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • Comchip

  • SOD-123H

  • 最新批号

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  • CURMT106-HF
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  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

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    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -
  • 原厂原装现货,代找紧缺料

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  • 功能描述
  • 整流器 VR=800V IO=1A
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 产品
  • Standard Recovery Rectifiers
  • 配置
  • 反向电压
  • 100 V
  • 正向电压下降
  • 恢复时间
  • 1.2 us
  • 正向连续电流
  • 2 A
  • 最大浪涌电流
  • 35 A
  • 反向电流 IR
  • 5 uA
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • DO-221AC
  • 封装
  • Reel
CURMT106-HF 技术参数
  • CURMT104-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123H 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123H 供应商器件封装:SOD-123H 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 CURMT103-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123H 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123H 供应商器件封装:SOD-123H 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 CURM103-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A MINISMA 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123T 供应商器件封装:迷你型 SMA/SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 CURC307-G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.7V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB,(SMC) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 CURC304-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:DO-214AB,(SMC) 工作温度 - 结:150°C(最大) 标准包装:1 CUS04(TE85L,Q,M) CUS05(TE85L,Q,M) CUS05F30,H3F CUS05F30,H3F(T CUS05F40,H3F CUS05S30,H3F CUS05S40,H3F CUS06(TE85L,Q,M) CUS08F30,H3F CUS10F30,H3F CUS10F40,H3F CUS10I30A(TE85L,QM CUS10I40A(TE85L,QM CUS10S30,H3F CUS10S40,H3F CUS12 CUS150M12 CUS150M12/A
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