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CY62128BNLL-55ZXC

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CY62128BNLL-55ZXC 技术参数
  • CY62128BNLL-55SXI 功能描述:IC SRAM 128KX8 PD LP 32-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:MoBL® 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) CY62128BLL-70ZXI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 70NS 32TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:MoBL® 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:托盘 其它名称:Q2841869 CY62128BLL-70ZXET 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 5.0V SUPER LO PWR 128K X 8 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62128BLL-70ZXE 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 5.0V SUPER LO PWR 128K X 8 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62128BLL-70ZRXET 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 5.0V SUPER LO PWR 128K X 8 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62128DV30LL-55SXI CY62128DV30LL-70SI CY62128DV30LL-70SXI CY62128DV30LL-70ZI CY62128DV30LL-70ZXI CY62128ELL-45SXA CY62128ELL-45SXAT CY62128ELL-45SXI CY62128ELL-45SXIT CY62128ELL-45ZAXI CY62128ELL-45ZAXIT CY62128ELL-45ZXA CY62128ELL-45ZXAT CY62128ELL-45ZXI CY62128ELL-45ZXIT CY62128ELL-55SXE CY62128ELL-55SXET CY62128ELL-55ZAXE
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