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CY62167DV30LL5ZXI

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CY62167DV30LL5ZXI 技术参数
  • CY62167DV30LL-55ZXIT 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 1.8V SUPER LO PWR 1MEGX16 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62167DV30LL-55ZXI 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 1.8V SUPER LO PWR 1MEGX16 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62167DV30LL-55BVXIT 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 1.8V SUPER LO PWR 1MEGX16 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62167DV30LL-55BVXI 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 1MEGX16 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62167DV30LL-55BVIT 功能描述:静态随机存取存储器 SLO 1.8V SUPER LO PWR 1MEGX16 静态随机存取存储器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY62167EV18LL-55BVXIT CY62167EV30LL-45BVI CY62167EV30LL-45BVIT CY62167EV30LL-45BVXA CY62167EV30LL-45BVXAT CY62167EV30LL-45BVXI CY62167EV30LL-45BVXIT CY62167EV30LL-45ZXA CY62167EV30LL-45ZXAT CY62167EV30LL-45ZXI CY62167EV30LL-45ZXIT CY62167G18-55BVXI CY62167G18-55BVXIT CY62167G18-55ZXI CY62167G18-55ZXIT CY62167G30-45BVXA CY62167G30-45BVXAT CY62167G30-45BVXI
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