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CY7C0852V-133BBXI

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CY7C0852V-133BBXI 技术参数
  • CY7C0852V-133BBI 功能描述:静态随机存取存储器 4MB (128Kx36) 3.3v 133MHz Synch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C0852V-133BBCT 功能描述:静态随机存取存储器 3.3V 128Kx36 COM Sync Dual Port 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C0852V-133BBC 功能描述:静态随机存取存储器 4MB (128Kx36) 3.3v 133MHz Synch 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C0852V-133AXI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 176LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY7C0852V-133AXCT 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 176LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CY7C09089V-12AXC CY7C09089V-12AXI CY7C09089V-6AXC CY7C09099V-12AC CY7C09099V-12AXC CY7C09099V-6AXC CY7C09159AV-12AC CY7C09159AV-12AXC CY7C09159AV-9AXC CY7C09169AV-12AXC CY7C09169AV-12AXI CY7C09179V-12AXC CY7C09179V-6AXC CY7C09189-9AC CY7C09189V-12AXC CY7C09189V-6AXC CY7C09199-9AC CY7C09199V-12AXC
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