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  • CY7C1061GE18-15BV1XI
  • 8700
  • Cypress Semiconductor Cor
  • 16+
  • 48-VFBGA(6x8)
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CY7C1061GE18-15BV1XI技术参数

CY7C1061G30-10ZXI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 10NS 制造商:cypress semiconductor corp 系列:- 包装:托盘 零件状态:有效 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(1M x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商器件封装:48-TSOP I 标准包装:96 CY7C1061G30-10ZSXIT 功能描述:IC SRAM 16MBIT 10NS 54TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 存储器类型:易失 存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步 存储容量:16Mb (1M x 16) 写周期时间 - 字,页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:54-TSOP II 标准包装:1 CY7C1061G30-10ZSXI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 10NS 54TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:- 包装:托盘 零件状态:在售 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(1M x 16) 速度:10ns 接口:并联 电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 供应商器件封装:54-TSOP II 标准包装:108 CY7C1061DV33-10ZSXIT 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx16 CPG Fast Async RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1061DV33-10ZSXI 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx16 CPG Fast Async RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1061GE30-10BV1XI CY7C1061GE30-10BV1XIT CY7C1061GE30-10BVJXI CY7C1061GE30-10BVJXIT CY7C1061GE30-10BVXI CY7C1061GE30-10BVXIT CY7C1061GE30-10ZSXI CY7C1061GE30-10ZSXIT CY7C1061GE30-10ZXI CY7C1061GE30-10ZXIT CY7C1061GN18-15ZSXI CY7C1061GN18-15ZSXIT CY7C1061GN30-10BV1XI CY7C1061GN30-10BV1XIT CY7C1061GN30-10BVJXI CY7C1061GN30-10BVJXIT CY7C1061GN30-10BVXI CY7C1061GN30-10BVXIT

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