CY7C1069AV3310ZXI

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CY7C1069AV3310ZXI 技术参数

CY7C1069AV33-10ZXCT 功能描述:静态随机存取存储器 2M x 8 CPG COM Fast Async 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1069AV33-10ZXC 功能描述:静态随机存取存储器 2M x 8 CPG COM Fast Async 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1069AV33-10BAC 功能描述:静态随机存取存储器 2M x 8 CPG COM Fast Async 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1062G30-10BGXI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 10NS 119BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:- 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步存储容量:16Mb （512K x 32）写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:119-BGA 供应商器件封装:119-PBGA（14x22）标准包装:84 CY7C1062DV33-2XW11 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:512K X 32 CPG FAST ASYNC SRAM - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film CY7C1069DV33-10ZSXIT CY7C1069G-10BVXI CY7C1069G-10BVXIT CY7C1069G-10ZSXI CY7C1069G-10ZSXIT CY7C1069G30-10BVXI CY7C1069G30-10BVXIT CY7C1069G30-10ZSXI CY7C1069G30-10ZSXIT CY7C1069GE30-10ZSXI CY7C1069GE30-10ZSXIT CY7C1069GN30-10BVXI CY7C1069GN30-10BVXIT CY7C1069GN30-10ZSXI CY7C1069GN30-10ZSXIT CY7C106D-10VXI CY7C106D-10VXIT CY7C1071DV33-12BAXI