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CY7C131-35NC

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    CY7C131-35NC

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

  • CYPRESS

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  • CY7C131-35NC
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    深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 865000

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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  • 9800

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  • TQFP

  • 18+

  • -
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CY7C131-35NC 技术参数
  • CY7C1312TV18-250BZC 功能描述:IC SRAM 1MX18 QDRII 165-FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) CY7C1312TV18-167BZC 功能描述:IC SRAM 1MX18 QDRII 165-FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) CY7C1312SV18-250BZC 功能描述:IC SRAM 1MX18 QDRII 165-FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) CY7C1312SV18-167BZC 功能描述:IC SRAM 256KX36 SYNC 165-FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) CY7C1312KV18-333BZC 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (1Mx18) 1.8v 333MHz DDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1313KV18-250BZC CY7C1313KV18-250BZCT CY7C1313KV18-250BZI CY7C1313KV18-250BZXC CY7C1313KV18-250BZXI CY7C1313KV18-333BZC CY7C1313SV18-250BZC CY7C1313TV18-167BZC CY7C1313TV18-250BZC CY7C1314BV18-167BZC CY7C1314BV18-167BZI CY7C1314BV18-200BZC CY7C1314BV18-250BZC CY7C1314BV18-250BZXC CY7C1314CV18-167BZC CY7C1314CV18-200BZC CY7C1314CV18-200BZI CY7C1314CV18-250BZC
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