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CY7C1313KV18-250BZCES

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CY7C1313KV18-250BZCES 技术参数

CY7C1313KV18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 18432KB 1ms 390mA RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1313CV18-250BZI 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx18 1.8V QDR II (4-Word Burst) RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1313CV18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx18 1.8V DDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1313CV18-200BZXI 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx18 1.8V QDR-II 静态随机存取存储器 (4-WORD BURST) RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1313CV18-200BZC 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx18 1.8V DDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1314BV18-167BZI CY7C1314BV18-200BZC CY7C1314BV18-250BZC CY7C1314BV18-250BZXC CY7C1314CV18-167BZC CY7C1314CV18-200BZC CY7C1314CV18-200BZI CY7C1314CV18-250BZC CY7C1314JV18-250BZXC CY7C1314KV18-250BZC CY7C1314KV18-250BZCT CY7C1314KV18-250BZI CY7C1314KV18-250BZXC CY7C1314KV18-250BZXCT CY7C1314KV18-250BZXI CY7C1314KV18-300BZXC CY7C1314KV18-333BZC CY7C1314SV18-200BZC