CY7C1393BV18-200BZI

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CY7C1393BV18-200BZI
北京元坤伟业科技有限公司
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北京力通科信电子有限公司
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CY7C1393BV18-200BZI 技术参数

CY7C1393BV18-167BZC 功能描述:静态随机存取存储器 1Mx18 1.8V COM DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1392SV18-250BZC 功能描述:IC SRAM 2MX8 DDRII 165-FBGA RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) CY7C1392KV18-250BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 18Mb DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1392CV18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1392CV18-200BZC 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx8 1.8V DDR II SIO 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1399B-12VXCT CY7C1399B-12ZC CY7C1399B-12ZXC CY7C1399B-12ZXCT CY7C1399B-15VC CY7C1399B-15VXC CY7C1399B-15VXI CY7C1399B-15VXIT CY7C1399B-15ZC CY7C1399B-15ZXC CY7C1399B-15ZXI CY7C1399B-15ZXIT CY7C1399BL-12ZXC CY7C1399BL-12ZXCT CY7C1399BN-12VXC CY7C1399BN-12VXCT CY7C1399BN-12VXI CY7C1399BN-12VXIT