CY7C1423AV18-300BZC

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功能描述
静态随机存取存储器 2Mx18 Burst 2 静态随机存取存储器 COM
RoHS
否
制造商
Cypress Semiconductor
存储容量
16 Mbit
组织
1 M x 16
访问时间
55 ns
电源电压-最大
3.6 V
电源电压-最小
2.2 V
最大工作电流
22 uA
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-48
封装
Tray

CY7C1423AV18-300BZC 技术参数

CY7C1423AV18-267BZXCT 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 DDR-II SIO Burst 2 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1423AV18-267BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 DDR II SIO Burst 2 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1423AV18-267BZC 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 DDR II SIO Burst 2 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1423AV18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 Burst 2 静态随机存取存储器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1423AV18-167BZC 功能描述:静态随机存取存储器 2Mx18 Burst 2 静态随机存取存储器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1423KV18-333BZXC CY7C1423SV18-250BZC CY7C1423TV18-267BZC CY7C1423TV18-267BZXC CY7C1424AV18-250BZC CY7C1424AV18-250BZCT CY7C1424KV18-250BZC CY7C1424KV18-250BZCT CY7C1424KV18-333BZC CY7C1424TV18-250BZC CY7C14251KV18-250BZC CY7C14251KV18-250BZI CY7C1425AV18-167BZXC CY7C1425AV18-200BZC CY7C1425AV18-200BZXC CY7C1425AV18-250BZXC CY7C1425AV18-300BZXC CY7C1425BV18-200BZC