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CY7C1518KV18-250BZC
参数信息:

功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 静态随机存取存储器

RoHS:

制造商:Cypress Semiconductor

存储容量:16 Mbit

组织:1 M x 16

访问时间:55 ns

电源电压-最大:3.6 V

电源电压-最小:2.2 V

最大工作电流:22 uA

最大工作温度:+ 85 C

最小工作温度:- 40 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOP-48

封装:Tray

CY7C1518KV18-250BZC技术参数

CY7C1518JV18-312BZC 功能描述:IC SRAM 4MX18 DDRII 165-FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) CY7C1518JV18-300BZXC 功能描述:静态随机存取存储器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1518JV18-300BZC 功能描述:静态随机存取存储器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1518JV18-250BZC 功能描述:静态随机存取存储器 4M x 18 1.8V DDR-II 静态随机存取存储器 (TWO-WRD BURST) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1518AV18-250BZXI 功能描述:静态随机存取存储器 4M x 18 1.8V DDR II 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1518KV18-333BZXC CY7C1518KV18-333BZXI CY7C1518TV18-250BZC CY7C1518UV18-300BZXC CY7C1518V18-167BZC CY7C1518V18-200BZC CY7C1518V18-250BZC CY7C1520AV18-200BZC CY7C1520AV18-200BZCT CY7C1520AV18-200BZXI CY7C1520AV18-250BZC CY7C1520AV18-250BZXC CY7C1520JV18-300BZC CY7C1520JV18-300BZXC CY7C1520KV18-200BZC CY7C1520KV18-250BZC CY7C1520KV18-250BZCT CY7C1520KV18-250BZI

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