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CYD18S36V-200BBAXI

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CYD18S36V-200BBAXI 技术参数
  • CYD18S36V18-200BBAXI 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 200MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD18S36V18-167BBAI 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (512Kx36) 1.8v 167MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD18S18V18-200BBAXI 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (1Mx18) 1.8v 200MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD18S18V18-200BBAXC 功能描述:静态随机存取存储器 18MB (1Mx18) 1.8v 200MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD18S18V18-167BBAXI 功能描述:静态随机存取存储器 18432KB (1Mx18) 1.8v 200MHz Sync 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYD18S72V18-200BBXC CYD18S72V18-200BBXI CYD18S72V18-200BGI CYD18S72V18-200BGXI CYD18S72V18-250BBXC CYD36S18V18-167BGXC CYD36S18V18-167BGXI CYD36S18V18-200BGXC CYD36S36V18-133BBXC CYD36S36V18-133BBXI CYD36S36V18-167BBXC CYD36S36V18-167BBXI CYD36S36V18-167BGXC CYD36S36V18-167BGXI CYD36S36V18-200BBXC CYD36S36V18-200BGXC CYD36S72V18-167BGXC CYD36S72V18-200BGXC
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