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CPDT6-5V0U

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  • 功能描述
  • ESD 抑制器 5CH 5V SOT-23-6 ESD Array
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 通道
  • 8 Channels
  • 击穿电压
  • 8 V
  • 电容
  • 45 pF
  • 端接类型
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • uQFN-16
  • 功率耗散 Pd
  • 工作温度范围
  • - 40 C to + 85 C
CPDT6-5V0U 技术参数
  • CPDT6-24V4-HF 功能描述:TVS DIODE 24VWM 47VC SOT23-6 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:4 电压 - 反向关态(典型值):24V 电压 - 击穿(最小值):25V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:47V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):1A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:47W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 CPDT6-24V4 功能描述:TVS DIODE 24VWM 47VC SOT23-6 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:4 电压 - 反向关态(典型值):24V 电压 - 击穿(最小值):25V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:47V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):1A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:47W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:3,000 CPDT-5V0USP-HF 功能描述:TVS DIODE 5VWM 19VC SOT23 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:2 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:19V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):4A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:76W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:0.6pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 CPDT-5V0U-HF 功能描述:TVS DIODE 5VWM 10VC SOT23 制造商:comchip technology 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 类型:齐纳 单向通道:2 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿(最小值):6.1V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:10V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):8A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:80W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 CPDT-5V0U 功能描述:TVS DIODE 5VWM 10VC SOT23 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:齐纳 单向通道:2 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):5V 电压 - 击穿(最小值):6.1V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:10V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):8A(8/20μs) 功率 - 峰值脉冲:80W 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 CPDTR0324V-HF CPDTR035V0C-HF CPDTR035V0U-HF CPDTR055V0C-HF CPDU12V CPDU12V0U CPDU12V0U-HF CPDU12V-HF CPDU24V CPDU24V0U-HF CPDU24V-HF CPDU3V3UP CPDU5V0 CPDU5V0C-HF CPDU5V0-HF CPDU5V0H-HF CPDU5V0U-HF CPDU5V0USP-HF
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