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CPH6442-TL-E

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 6A CPH6
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

CPH6442-TL-E 技术参数

CPH6434-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:41 毫欧 @ 3A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:790pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1 CPH6429-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:220 毫欧 @ 1A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.2nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:325pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1 CPH6411-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:1 CPH6355-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:169 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:172pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 CPH6355-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not For New Designs FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:169 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:172pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 CPH6532-TL-E CPH6538-TL-H CPH6539-TL-H CPH6615-TL-E CPH6616-TL-E CPH6635-TL-H CPH6636R-TL-W CPH6904-TL-E CPH-E13/7/4-1S-6P CPH-E19/8/5-1S-8PD-Z CPH-E19/8/5-2S-4P-C CPH-E20/10/6-1S-8P CPH-E25/10/6-1S-10PD-C CPH-E25/13/7-1S-10P CPH-E30/15/7-1S-10P-C CPH-E32/16/9-1S-12P CPH-E34/14/9-1S-12PD-Z CPH-E42/21/15-1S-10P