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CY7C1061AV33-12ZXI

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功能描述
IC SRAM 16MBIT 12NS 54TSOP
RoHS
是
类别
集成电路 (IC) >> 存储器
系列
-
标准包装
1,000
系列
-
格式 - 存储器
RAM
存储器类型
移动 SDRAM
存储容量
256M（8Mx32）
速度
133MHz
接口
并联
电源电压
1.7 V ~ 1.95 V
工作温度
-40°C ~ 85°C
封装/外壳
90-VFBGA
供应商设备封装
90-VFBGA（8x13）
包装
带卷 (TR)
其它名称
557-1327-2

CY7C1061AV33-12ZXI 技术参数

CY7C1061AV33-12ZXCT 功能描述:静态随机存取存储器 1M x 16 CPG COM Fast Async 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1061AV33-12ZXC 功能描述:静态随机存取存储器 1M x 16 CPG COM Fast Async 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1061AV33-10ZXIT 功能描述:静态随机存取存储器 1M x 16 CPG IND Fast Async 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1061AV33-10ZXI 功能描述:静态随机存取存储器 1M x 16 CPG IND Fast Async 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1061AV33-10ZXCT 功能描述:静态随机存取存储器 1M x 16 CPG COM Fast Async 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1061DV33-10BVXIT CY7C1061DV33-10ZSXI CY7C1061DV33-10ZSXIT CY7C1061G-10BV1XI CY7C1061G-10BV1XIT CY7C1061G-10BVJXI CY7C1061G-10BVJXIT CY7C1061G-10BVXI CY7C1061G-10BVXIT CY7C1061G-10ZSXI CY7C1061G-10ZSXIT CY7C1061G-10ZXI CY7C1061G-10ZXIT CY7C1061G18-15BV1XI CY7C1061G18-15BV1XIT CY7C1061G18-15BVJXI CY7C1061G18-15BVJXIT CY7C1061G18-15BVXI