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CY7C1062AV33-10BGI

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功能描述
静态随机存取存储器 512K x 32 Fast Async IND
RoHS
否
制造商
Cypress Semiconductor
存储容量
16 Mbit
组织
1 M x 16
访问时间
55 ns
电源电压-最大
3.6 V
电源电压-最小
2.2 V
最大工作电流
22 uA
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-48
封装
Tray

CY7C1062AV33-10BGI 技术参数

CY7C1062AV33-10BGCT 功能描述:静态随机存取存储器 512K x 32 Fast Async COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1062AV33-10BGC 功能描述:静态随机存取存储器 512K x 32 Fast Async COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CY7C1061G30-10ZXI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 10NS 制造商:cypress semiconductor corp 系列:- 包装:托盘零件状态:有效格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（1M x 16）速度:10ns 接口:并联电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）供应商器件封装:48-TSOP I 标准包装:96 CY7C1061G30-10ZSXIT 功能描述:IC SRAM 16MBIT 10NS 54TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:SRAM 技术:SRAM - 异步存储容量:16Mb （1M x 16）写周期时间 - 字，页:10ns 访问时间:10ns 存储器接口:并联电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）供应商器件封装:54-TSOP II 标准包装:1 CY7C1061G30-10ZSXI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 10NS 54TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:- 包装:托盘零件状态:在售格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（1M x 16）速度:10ns 接口:并联电压 - 电源:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）封装/外壳:54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）供应商器件封装:54-TSOP II 标准包装:108 CY7C1062GE30-10BGXIT CY7C1062GN30-10BGXI CY7C1062GN30-10BGXIT CY7C1069AV33-10BAC CY7C1069AV33-10ZXC CY7C1069AV33-10ZXCT CY7C1069AV33-10ZXI CY7C1069AV33-10ZXIT CY7C1069AV33-12ZXC CY7C1069AV33-12ZXCT CY7C1069AV33-1XW14 CY7C1069AV33-8ZXC CY7C1069DV33-10BVXI CY7C1069DV33-10BVXIT CY7C1069DV33-10ZSXI CY7C1069DV33-10ZSXIT CY7C1069G-10BVXI CY7C1069G-10BVXIT