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CYDM064B16-55BVXI

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功能描述
静态随机存取存储器 64K 4Kx16 MoBL Dual Port IND
RoHS
否
制造商
Cypress Semiconductor
存储容量
16 Mbit
组织
1 M x 16
访问时间
55 ns
电源电压-最大
3.6 V
电源电压-最小
2.2 V
最大工作电流
22 uA
最大工作温度
+ 85 C
最小工作温度
- 40 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-48
封装
Tray

CYDM064B16-55BVXI 技术参数

CYDM064B16-40BVXIT 功能描述:IC SRAM 64KBIT 40NS 100VFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15）包装:托盘其它名称:71P71804S200BQ CYDM064B16-40BVXI 功能描述:静态随机存取存储器 64K 4Kx16 MoBL Dual Port IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYDM064B08-55BVXI 功能描述:静态随机存取存储器 64K 8Kx8 MoBL Dual Port IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYDM064B08-40BVXI 功能描述:静态随机存取存储器 64K 4Kx16 MoBL Dual Port IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray CYDD18S72V18-200BBXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256LFBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并联电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13）包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 CYDM256B16-55BVXI CYDM256B16-55BVXIT CYDMX064A16-65BVXI CYDMX064A16-90BVXI CYDMX064B16-65BVXI CYDMX128A16-65BVXI CYDMX128A16-65BVXIT CYDMX128A16-90BVXI CYDMX128B16-65BVXI CYDMX256A16-65BVXI CYDMX256A16-90BVXI CYDP1049 CYDP1542 CYDP1543 CYDP1544 CYDP1545 CYF0018V18L-133BGXI CYF0018V33L-133BGXI