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参数资料
| 型号： | C4D08120E |
| 厂商： | CREE INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 12.1 A, 1200 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE, TO-252 |
| 封装： | TO-252, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 543K |
| 代理商： | C4D08120E |
2
C4D08120E Rev. -
Electrical Characteristics
Symbol Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
V
F
Forward Voltage
1.5
2.2
1.8
3
V
I
F = 2 A
T
J=25°C
I
F = 2 A
T
J=175°C
I
R
Reverse Current
35
100
250
350
μA
V
R = 1200 V
T
J=25°C
V
R = 1200 V
T
J=175°C
Q
C
Total Capacitive Charge
49
nC
V
R = 1200 V, IF = 2A
di/dt = 200 A/μs
T
J = 25°C
C
Total Capacitance
560
37
27
pF
V
R = 0 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz
V
R = 400 V, TJ = 25C, f = 1 MHz
V
R = 800 V, TJ = 25C, f = 1 MHz
Note:
1. This is a majority carrier diode, so there is no reverse recovery charge.
Thermal Characteristics
Symbol Parameter
Typ.
Unit
R
θJC
TO-252 Package Thermal Resistance from Junction to Case
1.1
°C/W
Typical Performance
Figure 1. Forward Characteristics
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
Figure 2. Reverse Characteristics
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
I
F(A)
V
F (V)
I
R
(μA)
V
R (V)
T
J=-55°C
T
J= 25°C
T
J= 75°C
T
J =125°C
T
J =175°C
T
J=-55°C
T
J= 25°C
T
J= 75°C
T
J =125°C
T
J =175°C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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