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瓷介电容器特点及用途
瓷介电容器是以陶瓷材料为介质，属于陶瓷电容中的一种。并在其表面烧渗上银层作为电极的电容器。因陶瓷材料的介电系数较大，所以可以做得容量很大，体积很小；瓷介电容器稳定性好；具有优良的绝缘性能；温度系数范围很宽，在电路中常作为温度补偿电容器。其缺点是机械强度低，易碎易裂。
根据陶瓷成分不同可以分为高频瓷介电容器双称（高频用CC表示，也称I型）和低频瓷介电容器（低频用CT表示，也称II型）。
高频瓷介电容器（CC）：其特点是体积小、损耗低，电容对频率、温度稳定性都较高，常用于要求损耗小，电容量稳定的场合，并常在高频电路中用作调谐、振荡回路电容器和温度补偿电容器。高频瓷介电容的容量在零点几皮法至几百皮法之间，耐压常见的有160V、250V、500V几种，误差常见有±5%、±10%、±20%、+80%～-20%几种。
低频瓷介电容器（CT）：其特点是体积小、损耗大，电容对频率、温度稳定性都较差，常用于对损耗及容量稳定性要求不高的低频电路。其容量在几百皮法到几十微法之间，额定直流工作电压常见有0.5KV、1KV、2KV、5KV等几种。误差常见有±1%、±3%、±5%、±10%、±20%、+80%～-20%。
2.技术指标
电容量 18pF～0.22UF 25℃±3℃
允许偏差 ±1(F)、±3(I)、±5(J)、±10(K)、±20(M)、Z(+80%～-20%)
使用温度 -25℃～+85℃
温度特性 BN、NP0、N150、N470、N750、SL、Y5P、X7R、Z5U、Y5R、Y5U、Y5V
额定电压 50Vdc、100Vdc、500Vdc、1000Vdc、2000Vdc、3000Vdc、5000Vdc
损耗角正切值 (tgδ) Y5R(tgδ≤0.35%) Y5V(tgδ≤2.5%) Y5P/Y5U(tgδ≤2.0%) BN(tgδ≤0.5%)
静电容量 Ⅰ类:1MHz,1±0.2Vrms Ⅱ类:1KHz,1±0.2Vrms (25℃±3℃、1+0.2Vrms)
绝缘电阻 于端子间施加直流500V电压，时间为1分钟 (25℃±3℃)
CC IR≥10000MΩ CT IR≥4000MΩ
耐压测试 于端子间施加一定的直流电压3~5秒钟无击穿，无飞弧（电流限于50mA以内)
一类/二类瓷Ur<630V (2.5Ur) 630V≤Ur<3KV (1.5Ur+500Vdc) Ur≥3KV(1.5Ur)
三类瓷 Ur<100V (1.5Ur) Ur≥100V (1.25Ur)
封 装 酚醛树脂(黄色)/环氧树脂(蓝色)
包 装 散装/编带
选购需知：
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