品牌:AK | 型号:AKF10N60C | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:VA/场输出级 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:韩国飞虹FEIHONLTD | 型号:FHF10N60代用FQPF10N60C | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:SILAN/士兰微 | 型号:SVF10N60F | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT绝缘栅比极 | 类型:其他IC | 批号:14+ | 封装:TO-220F

品牌:NIEC/英达 | 型号:60KQ10 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型

品牌:韩国信安Truesemi | 型号:10N60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-INM/独立组件 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRGIB10B60KD1PBF | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 批号:12+ | 封装:TO-220

品牌:ST/意法 | 型号:STP10NK70 STP10NK80 STP10NK60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:ALPHA/阿尔法 | 型号:AOT10N60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 应用范围:其他

品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:SKB10N60 | 种类:TO-263 | 沟道类型:TO-263 | 导电方式:TO-263

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FDPF12N60NZ | 沟道类型:其他 | 类型:其他IC | 批号:10+ | 产品类型:其他 | 封装:TO-220F

品牌:AUK | 型号:SMN10F60WF/SMN10U60WF | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

类型:驱动IC | 品牌:FeiHong | 型号:FHP10N60 | 封装:TO220 | 批号:2012+

类型:驱动IC | 品牌:FeiHong | 型号:FHF10N60 | 封装:TO220F | 批号:2012+

品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:TK10A60D | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:ALPHA/阿尔法 | 型号:AOW10N60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 应用范围:其他

品牌:ALPHA/阿尔法 | 型号:AOB10N60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道 | 应用范围:其他

品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:TK10A60D/TK13A60D | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插