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技术参数如下：Ⅱ类高电介质电容器主要成份以钛酸钡为主而制成，因具有高的功率因数故称＂Ｈi-k＂此类电容器容量大，内部阻抗小，低损耗，在电路中常作隔直流，旁路，耦合之用 1、 使用温度范围： -25 ～ +85℃ 2、静电容量： 在温度25±2℃以内、以1±0.1KHZ及Vrms=1.0v , 不超过容量精度要求 3、测试电压：按标称电压之1.5倍测试 4、绝缘阻抗:依额定电压±3%印加60±5秒达到,I.R≥10000MΩ 5、损耗角正切值： MAX 2.5%，详细数据请来电来旺来人索取！