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CCT|将电解电容器更换为MLCC的指南
电子设备中使用有多个电容器。铝电解电容器与钽电解电容器等常用于需要大静电容量的用途中，但其存在难以实现小型低背形状，且波纹电流导致的自己发热温度较高等问题。
但近年来，随着MLCC电容值的不断增加，使用于电源电路等的各种电解电容器更换为MLCC成为了可能。
通过更换为MLCC，其小型低背形状能够节省空间，同时还有抑制波纹、提高可靠性、长寿命化等各种优点。但MLCC的ESR(等效串联电阻)较小的特点却起到了反效果，由于会产生异常振动以及反共振的情况，因此在更换时需要格外注意。
1、为何现在要将电解电容器更换为MLCC
随着技术的进步，数10～100μF以上的大容量MLCC实现产品化，从而可用其更换电解电容器。
电解电容器的寿命为10年，但几乎没有任何要素会缩短MLCC的寿命。
2、降压型DC-DC转换器的更换
输出电容器中电解电容器也不断被更换为MLCC
3、去耦电容器（旁路电容）的更换
使用模拟电路等更换去耦电容器的情况越来越多。
CCT|更换为MLCC的事例去耦电容器（旁路电容）
1、去耦电容器（旁路电容）的更换
以往在模拟电路中，电解电容器与MLCC(积层贴片陶瓷片式电容器))会用于去耦而进行并联，但大容量MLCC实现产品化后，将电解电容器更换为MLCC的情况越来越多。
尤其由于铝电解电容器的ESR较大，因此降低阻抗需要较大的容量。但MLCC拥有低ESR的特点，因此无需像铝电解电容器一样大的容量。同时，MLCC由于其小型低背的形状，在更换后可使电路线路板节省空间，同时还拥有长寿命，可靠性优异等优点。
注：去耦电容器
IC的电源线中并联连接有电容器。这是因为电源线中存在电路图中无法标识的阻抗，它会使电源电压发生变动，使电路错误工作或在电路间引起干扰。
因此将电容器进行并联，在通过其充放电抑制电压变动的同时，利用使交流通过的电容器的性质将噪音旁通至地线层侧。这就称为去耦电容器（又被称为旁路电容）。
去耦用途中，在低频率到高频率的大范围频率频带，呈现低阻抗的电容器较为理想，但在现实中，电容器阻抗-频率特性呈V型曲线。
位于V字谷底位置的频率称为自我共振频率(SRF)，起到电容器作用的是自我共振频率以下的部分。因此，在去耦用途中，一般通过并联特性不同的电容器来覆盖大范围频率频带。
陶瓷积层贴片电容优势：
1．可以用做出小体积大容量的产品。
2。有助于提高生产效率，可以自动化生产。
3.使用贵金属生产，高稳定性，耐高温，可靠性好，寿命长。
4.可以替代CBB，铝电解，使电子产品小型化，节省空间。产品更美观，性能更优越。
5。陶瓷电ESR小，可以用在部分高频电路，产品工作效率更高。
高压贴片电容的特性：
1.利用贴片陶瓷电容器介质层的薄层化和多层叠层技术，使电容值大为扩大
2.单片结构保证有极佳的机械性强度及可靠性
3.极高的精确度，在进行自动装配时有高度的准确性
4.因仅有陶瓷和金属构成，故即便在高温，低温环境下亦无渐衰的现象出现，具有较强可靠性与稳定性
5.低集散电容的特性可完成接近理论值的电路设计
6.残留诱导系数小，确保上佳的频率特性
7.因电解电容器领域也获得了电容，故使用寿命延长，更造于具有高可靠性的电源
8.由于ESR低，频率特性良好，故最适合于高频，高密度类型的电源
工作温度范围: -55～125℃
额定电压: 100VDC～3000VDC
温度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA Class I）X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA Class II）
容量范围: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
损失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
绝缘电阻: 10GΩ或500/C Ω取两者最小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5%一个decade时间
介质电耐电压：100V ≤ V＜500V :200%
额定电压500V ≤ V＜1000V :150%额定电压1000v≤ V :120%额定电压
介质耐电压：100V-1000V范围内，可承受1.5倍额定电压。1000V以上：可承受1.2倍额定电压。
电压越高，所能做出的容量越低，生产周期4－6周
(CCT) 宸远科技 陶瓷贴片电容规格：
英制：0805 1206 1210 1808 1812 1825 2220 2225 2211（上下英公规格相对应）
公制：2012 3216 3225 4520 4532 4563 5750 5763 5728（上下英公规格相对应）
低压：6.3V、10V、16V、25V、35V、45V、50V、63V、
中压：100V、150V、200V、250V、400V、450V、500V、630V
高压：1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV、5KV
容值：1PF（皮法）—220UF（微法）
材质：NPO(COG)、X7R、X5R、Y5V
精度：±5%（J档）±10%（K档）±20%（M档）
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