SCMT205K601H2P29-F_CDE突波吸收电容

批发数量 ≥1PCS
梯度价格 ¥1.00
型号
SCMT205K601H2P29-F
品牌
CDE
介质材料
铝电解
应用范围
高压
外形
圆柱形
功率特性
大功率
频率特性
高频
调节方式
固定
引线类型
无引线
允许偏差
±10(%)
耐压值
630(V)
标称容量
2(uF)
额定电压
600(V)

SCMT205K601H2P29-F

美国CDE SCMT型  IGBT突波吸收盒装电容器

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 特点:可直接安装在IGBT上    一条或者两条引线可连接到电阻上
         低电感                UL94VO阻燃环氧树脂封装
         低损耗                各种间距的电容器可供选择
         内装快恢管            使用环保材料 
用途:使用SCMT型目的就像是放电限制分离耦合,是保护双IGBT模块。
               SCMT型也是有“N”型或“P”型突波吸收电容,各对一个IGBT.。 


 

 

 

 型号体系:
 
SCMT      105                    K                 122                 H1                N                 28                 — F

 

 

 

 

 

型号       电容值             电容误差          电压代码           二极管            级性          端口洞孔距离     环保设计

 

 

 

 

 

 

 

       105 = 1.0 µF      K = 10%     601 = 600  Vdc   See ratings       N OR P    25 = 25 mm   F = Compliant
                                 J  =5%       122 = 1200 Vdc      table for                        28 = 28 mm   Blank = Not
                                                  

 

      

 

SCMT系列部分型号:

 

SCMT474K601H7N28-F 0.47μf 600V
SCMT474K601H7P28-F 0.47μf 600V
SCMT474K601H7[*]25-F 0.47μf 600V
SCMT105K601H5N29-F 1μf 600V
SCMT105K601H5P29-F 1μf 600V
SCMT105K601H5[*]25-F 1μf 600V
SCMT155K601H7N28-F 1.5μf 600V
SCMT155K601H7P28-F 1.5μf 600V
SCMT155K601H7[*]25-F 1.5μf 600V
SCMT205K601H2N29-F 2μf 600V
SCMT205K601H2P29-F 2μf 600V
SCMT205K601H2[*]25-F 2μf 600V
SCMT154K122H8N28-F 0.15μf 1200V
SCMT154K122H8P28-F 0.15μf 1200V
SCMT154K122H8[*]25-F 0.15μf 1200V
SCMT224K122H8N29-F 0.22μf 1200V
SCMT224K122H8P29-F 0.22μf 1200V
SCMT224K122H8[*]25-F 0.22μf 1200V
SCMT334K122H8N28-F 0.33μf 1200V
SCMT334K122H8P28-F 0.33μf 1200V
SCMT334K122H8[*]25-F 0.33μf 1200V
SCMT474K122H8N29-F 0.47μf 1200V
SCMT474K122H8P29-F 0.47μf 1200V
SCMT474K122H8[*]25-F 0.47μf 1200V
SCMT105K122H4N28-F 1μf 1200V
SCMT105K122H4P28-F 1μf 1200V
SCMT105K122H4[*]25-F 1μf 1200V
SCMT205K122H1N29-F 2μf 1200V
SCMT205K122H1P29-F 2μf 1200V
SCMT205K122H1[*]25-F 2μf 1200V

 

 

 


 
 
本公司主要经营美国CDE电容:
 无感电容
    941C系列:941C12P1K-F 941C12P15K-F 941C12P22K-F 941C12P33K-F 941C12P47K-F
    930C系列:930C12W2K-F 930C12W3K-F 930C12W3-3K-F 930C4W2K-F 930C2W30J-F 930C2W30-1J-F
 SCT型IGBT突波吸收盒
    SCT474K122D3B25-F SCT474K102D3B25-F SCT474K601A3B25-F SCT334K162D3B25-F SCT334K202D3B25-F
 SCMT型 单个或双个IGBT突波吸收密封盒装电容器
    SCMT105K601H5N29-F SCMT474K122H8P29-F SCMT334K122H8P28-F  SCMT205K122H1P29-F
 UNL型 镀金属聚丙烯电解薄膜电容器
    UNL10W10KS-F UNL12W7P5K-F UNL8W15KS-F UNL9W13P5K-F UNL5W35KS-F UNL6W30K-F
DCMCE85 ºC螺栓式铝电解电容
     DCMCE1647 DCMCE1649 DCMCE1669 DCMCE1671 DCMCE1654
突波吸收和射频设备,云母电容器:CD16 & CDV16
标准封装                       云母电容:CD10,CD15,CD19,CD30,CD42,CDV19,CDV30型
高频                         云母电容器 :CD17, CD18 & CDV18
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 深圳市新科维电子有限公司
 
(深圳市福田区芯科维电子商行)
 
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