贴片电容0603 335M 3.3UF 6.3V X5R TDK 100个7元 1K/27元

陶瓷电容
 
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

Size	Code	Capacitance	tolerance	Material	Rated voltage	Capacitance Value
inches	(mm)	A	±0.05pF		OJ = 6.3V	(2 significant digits + No. of Zeros) The 3rd digit: 0 = × 1 3 = × 103 1 = × 10 4 = × 104 2 = × 102 5 = × 105 6 = × 106 Letter R is decimal poin
0402	1005	G	±2%	NPO(COG)	1A = 10V
0603	1608	B	±0.1pF	X7R	1C = 16V
0805	2012	J	±5%	X5R	1E = 25V
1206	3216	C	±0.25pF	Y5V	H = 50V
1210	3225	K	±10%		2A = 100V
1808	4520	D	±0.5pF		2D= 200V
1812	4532	M	±20%		2E = 250V
2220	2220	F	±1%		2H= 500V
		Z	-20%+80%		2J= 630V
					3A= 1000V
					3D= 2000V
					3F= 3150V

体积	Code	电容公差		材料	额定电压	电容值
英寸	毫米	A	±0.05pF	NPO(COG)	OJ = 6.3V	（2位有效数字+号零点） 第三位数： 0 =×1 3 =×103 1 = 10 4 = 104×× 2 =×102 5 =×105 6 =×106 字母R为小数点
0402	1005	G	±2%	X7R	1A = 10V
0603	1608	B	±0.1pF	X5R	1C = 16V
0805	2012	J	±5%	Y5V	1E = 25V
1206	3216	C	±0.25pF		H = 50V
1210	3225	K	±10%		2A = 100V
1808	4520	D	±0.5pF		2D= 200V
1812	4532	M	±20%		2E = 250V
2220	2220	F	±1%		2H= 500V
		Z	-20%+80%		2J= 630V
					3A= 1000V
					3D= 2000V
					3F= 3150V

 
分类
陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式！按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容，通常NP0,SL0,COG是I类瓷介电容，X7R,X5R,Y5U,Y5V是II类瓷介电容， I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等！
Important parameter：
1. Capacitance
2. Rated voltage
3. Tolerance
4. Size
C = (εoεr A) / d
εo is the permittivity of free space
εr is the relative dielectric constant
A is the area of a plate
d is the separation between the plates.

优缺点
1、优点：稳定，绝缘性好，耐高压；
2、缺点：容量比较小。
TDK SGS测试报告

用途
在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。
高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。