加工定制:否 | 品牌:BALLUFF | 型号:BALLUFF476967 | 种类:湿度 | 材料:金属 | 材料物理性质:导体 | 材料晶体结构:单晶 | 制作工艺:厚膜 | 输出信号:数字型 | 防护等级:1 | 线性度:11(%F.S.) | 迟滞:1(%F.S.) | 重复性:1(%F.S.) | 灵敏度:1 | 漂移:1 | 分辨率:1
加工定制:否 | 品牌:巴鲁夫(BALLUFF) | 型号:BES-516-114-SA1-05 | 种类:射线辐射 | 材料:聚合物 | 材料物理性质:导体 | 材料晶体结构:单晶 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 防护等级:4 | 线性度:21(%F.S.) | 迟滞:1(%F.S.) | 重复性:4(%F.S.) | 灵敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 个
¥1.00
加工定制:否 | 品牌:巴鲁夫(BALLUFF) | 型号:BKS-S 48-15-CP-05 | 种类:射线辐射 | 材料:聚合物 | 材料物理性质:导体 | 材料晶体结构:单晶 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 防护等级:4 | 线性度:21(%F.S.) | 迟滞:1(%F.S.) | 重复性:4(%F.S.) | 灵敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 个
¥1.00
加工定制:否 | 品牌:巴鲁夫(BALLUFF) | 型号:BIS C-122-04/L | 种类:射线辐射 | 材料:聚合物 | 材料物理性质:导体 | 材料晶体结构:单晶 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 防护等级:4 | 线性度:21(%F.S.) | 迟滞:1(%F.S.) | 重复性:4(%F.S.) | 灵敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 个
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:巴鲁夫(BALLUFF) | 型号:BNS 819-99-R-11 | 种类:射线辐射 | 材料:聚合物 | 材料物理性质:导体 | 材料晶体结构:单晶 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 防护等级:4 | 线性度:21(%F.S.) | 迟滞:12(%F.S.) | 重复性:4(%F.S.) | 灵敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 个
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:巴鲁夫(BALLUFF) | 型号:BKS-S 32M-10 | 种类:射线辐射 | 材料:聚合物 | 材料物理性质:导体 | 材料晶体结构:单晶 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 防护等级:4 | 线性度:21(%F.S.) | 迟滞:12(%F.S.) | 重复性:4(%F.S.) | 灵敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 个
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:BALLUFF(巴鲁夫) | 型号:BLS 12M-XX-1RD-BO-L-03 | 种类:温度 | 材料:聚合物 | 材料物理性质:导体 | 材料晶体结构:单晶 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 防护等级:12 | 线性度:5(%F.S.) | 迟滞:4(%F.S.) | 重复性:3(%F.S.) | 灵敏度:12 | 漂移:2 | 分辨率:2
≥1 个
¥1.00
品牌:BALLUFF/巴鲁夫 | 型号:BES 516-327-G-BO-C-PU | 类型:热释电式接近开关 | 反应频率:800Hz | 额定电压:24V(V) | 额定电流:200mA(A) | 检测距离:2-6mm(mm) | 产品认证:ce | 加工定制:是
≥1 个
¥106.00
加工定制:是 | 品牌:BALLUFF | 型号:BFS 26K-GI-L04-S92 | 种类:光学 | 材料:混合物 | 材料物理性质:半导体 | 材料晶体结构:多晶 | 制作工艺:厚膜 | 输出信号:模拟型 | 防护等级:12 | 线性度:11(%F.S.) | 迟滞:23(%F.S.) | 重复性:15(%F.S.) | 灵敏度:232 | 漂移:67 | 分辨率:1200
≥1 PCS
¥214.00
加工定制:否 | 品牌:BALLUFF | 型号:BMF103K-PS-C-2-SA2-S49 | 种类:气体 | 材料:金属 | 材料物理性质:半导体 | 材料晶体结构:多晶 | 制作工艺:厚膜 | 输出信号:数字型 | 防护等级:- | 线性度:-(%F.S.) | 迟滞:-(%F.S.) | 重复性:-(%F.S.) | 灵敏度:- | 漂移:- | 分辨率:- | -:-
加工定制:是 | 品牌:巴鲁夫(BALLUFF) | 型号:BOS 18M-PS-RD23-S4 | 种类:光电 | 材料:聚合物 | 材料物理性质:导体 | 材料晶体结构:单晶 | 制作工艺:集成 | 输出信号:膺数字型 | 防护等级:4 | 线性度:21(%F.S.) | 迟滞:12(%F.S.) | 重复性:4(%F.S.) | 灵敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 个
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:BALLUFF/巴鲁夫 | 型号:BNS 819-B02-D08-46-11,BNS819-B02-D08-46-11 | 种类:光电 | 材料:其他 | 材料物理性质:其他 | 材料晶体结构:其他 | 制作工艺:集成 | 输出信号:开关型 | 防护等级:IP67 | 灵敏度:30US
≥10 PCS
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:巴鲁夫(BALLUFF) | 型号:BNS 819-B02-D08-40-10 | 种类:射线辐射 | 材料:聚合物 | 材料物理性质:导体 | 材料晶体结构:单晶 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 防护等级:4 | 线性度:21(%F.S.) | 迟滞:12(%F.S.) | 重复性:4(%F.S.) | 灵敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 个
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:巴鲁夫(BALLUFF) | 型号:BNS 819-B03-D08-40-10 | 种类:射线辐射 | 材料:聚合物 | 材料物理性质:导体 | 材料晶体结构:单晶 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 防护等级:4 | 线性度:21(%F.S.) | 迟滞:12(%F.S.) | 重复性:4(%F.S.) | 灵敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 个
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:巴鲁夫(BALLUFF) | 型号:BOD 63M-LB04-S115 | 种类:射线辐射 | 材料:聚合物 | 材料物理性质:导体 | 材料晶体结构:单晶 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 防护等级:4 | 线性度:21(%F.S.) | 迟滞:12(%F.S.) | 重复性:4(%F.S.) | 灵敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 个
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:巴鲁夫(BALLUFF) | 型号:BLE 12M-PA-1PD-S4-C | 种类:射线辐射 | 材料:聚合物 | 材料物理性质:导体 | 材料晶体结构:单晶 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 防护等级:4 | 线性度:21(%F.S.) | 迟滞:12(%F.S.) | 重复性:4(%F.S.) | 灵敏度:3 | 漂移:1 | 分辨率:2
≥1 个
¥1.00
加工定制:是 | 品牌:BALLUFF | 型号:BGL 50A-001-S49 | 种类:光学 | 材料:金属 | 材料物理性质:导体 | 材料晶体结构:单晶 | 制作工艺:集成 | 输出信号:模拟型 | 防护等级:15 | 线性度:25(%F.S.) | 迟滞:125(%F.S.) | 重复性:231(%F.S.) | 灵敏度:1290 | 漂移:1127 | 分辨率:213
≥1 PCS
¥335.00
加工定制:是 | 品牌:BALLUFF | 型号:BGL 30C-006-S4 | 种类:光学 | 材料:金属 | 材料物理性质:半导体 | 材料晶体结构:单晶 | 制作工艺:集成 | 输出信号:数字型 | 防护等级:34 | 线性度:12(%F.S.) | 迟滞:34(%F.S.) | 重复性:1280(%F.S.) | 灵敏度:2340 | 漂移:230 | 分辨率:1140
≥1 PCS
¥351.00
品牌:BALLUFF/巴鲁夫 | 型号:BES 516-3028-G-E5-Y-S4 | 类型:热释电式接近开关 | 反应频率:100Hz | 额定电压:10-30V(V) | 额定电流:130mA(A) | 检测距离:15mm(mm) | 产品认证:ce | 加工定制:是
≥1 个
¥86.00
品牌:BALLUFF/巴鲁夫 | 型号:BES M18MI-PSC50B-BV02 | 加工定制:否
≥1 个
¥100.00