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[摘要] 提供一种阵列板检查方法及其检查设备，其即使在从栅线的两端施加电位时，也能够检测栅线的断开故障。检查设备10内的写电路11从阵列板1上的多个信号线中选择出信号线Dc，并且在写期间，写电路11向信号线Dc施加一个写电位VD。进一步，在写期间，栅驱动电路12向所选栅线G1的一端施加驱动电位VGH，而栅驱动电路13向所选栅线G1的另一端施加保持电位VGL，从而导通开关晶体管Trc1。在写期间之后，检查设备10再次导通开关晶体管Trc1，并且积分电容器18测量保存在保持电容器Cc1内的电荷量。确定单元16根据测得的电荷量确定栅线G1的断开故障。
080 具有MOS晶体管的半导体存储单元阵列及其制造方法
[摘要] 在一种包括存储单元阵列的半导体存储器中，每个存储单元包括沟槽电容器和选择晶体管，沟槽电容器包括内部电极、外部电极以及配置在内部电极和外部电极之间的电介质层，选择晶体管包括第一源/漏区、第二源/漏区以及配置在第一源/漏区和第二源/漏区之间凹槽中的沟道区，每个存储单元的沟槽电容器和选择晶体管并排配置，选择晶体管的第一源/漏区电连接到沟槽电容器的内部电极，其中形成有选择晶体管沟道区的凹槽自对准地位于存储单元的沟槽电容器和相邻存储单元的沟槽电容器之间。
069 阵列衬底、具有阵列衬底的液晶显示面板及具有阵列衬底的液晶显示装置
[摘要] 在一种阵列衬底、具有阵列衬底的LCD面板及具有阵列衬底的LCD装置中，该阵列衬底可以包括绝缘衬底、开关元件(例如，像TFT之类的晶体管)、主像素部分、耦合电容器以及次像素部分。开关元件可以形成于像素区域中的绝缘衬底上，像素区域由彼此相邻的栅极线和数据线限定。主像素部分位于像素区域的第一(例如，中心)部分上。耦合电容器电连接到开关元件。耦合电容器位于绝缘衬底上。次像素部分电连接到耦合电容器。次像素部分位于像素区域的第二(例如，外围)部分。因此，可以改善图像显示的质量。
016 扩散隐埋极板沟槽DRAM单元阵列
[摘要] 公开一种高密集度的衬底沟槽ＤＲＡＭ单元存储器件及其工艺。毗邻沟槽电容器形成一隐埋区，以使ＤＲＡＭ转移ＦＥＴ的衬底能与半导体衬底上的其它ＦＥＴ电绝缘。隐埋区的一部分是由深沟槽的侧壁的侧向外扩散形成，另一部分是由完全环绕ＤＲＡＭ阵列的Ｎ阱表面扩散形成的。
086 液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
[摘要] 本发明公开了一种液晶显示器件的阵列基板及其制造方法。所述阵列基板包括：确定显示区域和非显示区域的基板；在非显示区域中的n-型驱动薄膜晶体管和p-型驱动薄膜晶体管；在显示区域中的开关薄膜晶体管；在显示区域中的存储电容器，该存储电容器包括以中间夹入层间绝缘层的方式顺序层叠的第一到第三存储电极，其中第一存储层与与第一存储层下方的第一半导体层接触；以及显示区域中的像素电极，该像素电极与开关薄膜晶体管相连。
021 一种用一连续顶部电极匹配电容器阵列的改进的布局技术
004 具有球栅阵列接线端的交叉电容器
053 具有带有自举电容器的开光电路的阵列器件
082 检查阵列基板的方法
067 阵列基板与包含阵列基板的显示设备
036 液晶显示阵列及液晶显示面板
002 带有光敏元的矩阵阵列显示装置
006 球栅阵列封装件的具有改进旁通去耦的印刷电路板组件
044 薄膜电容器、薄膜电容器阵列及电子部件
001 具有强电介质电容器的存储单元阵列及其制造方法以及强电介质存储装置
009 具有用于平面栅格阵列连接器的元件的屏蔽载台
034 阵列面板及其驱动方法
027 一种可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
088 具有用于高速输入 输出电路的能量输送与去耦的嵌入式电容阵列封装及其构成方法
020 操作电容薄膜晶体管阵列的方法
110 地埋式蝶形阵列天线
063 多层片状电容器和多层片状电容器阵列
105 有源矩阵阵列装置
035 阵列滤波器
055 多层阵列电容及其制作方法
107 叠层电容器阵列
047 晶体管结构、存储单元及其阵列、及存储器制造方法
014 多层穿心式电容器阵列
051 基于晶体管栅极氧化物击穿的组合现场可编程门阵列
078 具有提高孔径比的阵列基板及其制造方法、以及显示装置
037 主动元件阵列结构
076 存储单元阵列及其形成方法
015 具有基准单元阵列块的铁电随机存取存储器器件
098 基于液体介质的振动式静电微型发电机及其阵列
032 多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
008 薄膜存储器、阵列及其操作方法和制造方法
040 薄膜电晶体阵列及画素结构
017 多路复用有源生物阵列
031 多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
039 用于固态辐射成像器的存储电容器阵列
033 多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
048 阵列天线和采用该阵列天线的无线通信装置
099 制造薄膜晶体管阵列基底的方法
092 阵列基板、液晶显示面板及电子装置
030 一次性可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
072 形成存储单元阵列的方法和存储单元阵列
042 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列板
075 具有用以实现全栅格插座的空隙的阵列电容器
068 阵列基板及其制造方法、显示面板和液晶显示装置
087 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列板及其制造方法
109 贯通型层叠电容器阵列
081 蚀刻带及使用该蚀刻带制造液晶显示器的阵列基板的方法
101 层叠电容器阵列
090 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
050 TFT阵列及其试验方法、试验装置
038 电路阵列基板
085 区域阵列零件的共用通路退耦
011 低电感格栅阵列电容器
012 双栅衬底极板动态随机存取存储器单元阵列
010 有源阵列显示器的基底
083 存储单元阵列及其制造方法
108 贯通型层叠电容器阵列
077 晶体管阵列面板
013 扩散隐埋极板沟槽ＤＲＡＭ单元阵列
093 液晶显示面板的阵列基板
005 电容器阵列
104 使用阵列电容器核心的封装
073 电声转换元件、阵列型超声波转换器以及超声波诊断装置
095 低通滤波器和低通滤波器阵列
102 叠层电容器阵列
097 叠层电容器阵列
022 超小型电容器阵列
045 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
026 一种可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
024 集成存储单元阵列
052 TFT阵列试验方法
074 薄膜晶体管阵列及其驱动电路的制造方法
043 有源阵列有机发光二极管像素驱动电路及其驱动方法
041 薄膜晶体管液晶显示面板、其阵列基板及其制作方法
106 层叠电容器阵列
061 动态随机存取存储单元和其阵列、及该阵列的制造方法
018 双栅衬底极板动态随机存取存储器单元阵列
089 液晶显示器的像素阵列结构及其制造方法
028 贯通电容器阵列
096 具有用于能量输送和在中频范围内去耦的嵌入式电容器阵列的封装及其构成方法
060 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
084 贯通型积层电容器阵列
054 对传感器阵列中的像素执行相关双重子采样的方法和电路
058 生物传感器及传感单元阵列
079 噪声滤波器和噪声滤波器阵列
070 提供用于沟槽电容器阵列的掩埋板的结构和方法
057 薄膜晶体管阵列及其驱动电路的制造方法
023 存储单元阵列以及形成该存储单元阵列的方法
065 检验阵列衬底的方法和装置
046 薄膜晶体管阵列面板及包括该面板的液晶显示器
091 叠层型穿心电容器阵列
094 由MOS晶体管进行开关的电容器阵列
062 多层片状电容器阵列
049 TFT阵列试验方法
059 触觉传感器元件和传感器阵列
029 用于检测与时间相关的图像数据的光敏元件阵列
103 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列板
066 形成散热片的组合式散热去耦电容器阵列和电源分布插入组件
071 半反射半穿透液晶显示器的阵列基板的制造方法
056 液晶显示器的阵列基板及其制造方法
025 可以电子方式变化的电容器阵列
100 层叠型贯通电容器阵列
019 薄膜晶体管阵列及其制造方法
003 具有同心环形板阵列的用于深亚微型CMOS的多层电容器结构
007 主动阵列电激发光式显示屏中的像素驱动电路