品牌:SBD | 型号:CL21B 304J250V | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:滤波 | 外形:方块状 | 功率特性:小功率 | 频率特性:低频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±5（%） | 耐压值:250（V） | 损耗:小于1.0% | 额定电压:250（V） | 绝缘电阻:≥7500（mΩ） | 温度系数:40／85／21 | 标称容量:0.3

品牌:Samsung/三星 | 型号:CL21B473KBCNFNC | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:高精度 | 外形:长方形 | 功率特性:大功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 允许偏差:±10%（%） | 额定电压:50V（V） | 温度系数:X7R | 标称容量:0.047μF

品牌:Samsung/三星 | 型号:0805 2.2NF 222K 100V | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:高压 | 外形:方块状 | 功率特性:大功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线

品牌:SBD | 型号:CL21B 204J250V | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:滤波 | 外形:方块状 | 功率特性:小功率 | 频率特性:低频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±5（%） | 耐压值:250（V） | 损耗:小于1.0% | 额定电压:250（V） | 绝缘电阻:≥7500（mΩ） | 温度系数:40／85／21 | 标称容量:0.2

品牌:Samsung/三星 | 型号:CL21B511KBANNNC | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:中和 | 外形:长方形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±10（%） | 耐压值:50（V） | 标称容量:0.00051

品牌:KNSCHA | 型号:KNSCHA， | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:高压 | 外形:长方形 | 功率特性:小功率 | 频率特性:高频 | 引线类型:径向引出线 | 等效串联电阻(ESR):CL21X金属膜膜电容器224J/100V电容CL233X电容CL21B电容（mΩ） | 损耗:CL21X金属膜膜电容器224J/100V电容CL233X电容CL21B电容 | 额定电压:CL21X金属膜膜电容器224J/100V电容CL233X电容CL21B电容（V） | 绝缘电阻:CL21X金属膜膜电容器224J/100V电容CL233X电容CL21B电容（mΩ） | 温度系数:CL21X金属膜膜电容器224J/100V电容CL233X电容CL21B电容 | 标称容量:CL21X金属膜膜电容器224J/100V电容CL233X电容CL21B电容

品牌:KNSCHA | 型号:KNSCHA， | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:高压 | 外形:长方形 | 功率特性:小功率 | 频率特性:高频 | 引线类型:径向引出线 | 等效串联电阻(ESR):CL21X金属膜膜电容器224J/100V电容CL233X电容CL21B电容（mΩ） | 损耗:CL21X金属膜膜电容器224J/100V电容CL233X电容CL21B电容 | 额定电压:CL21X金属膜膜电容器224J/100V电容CL233X电容CL21B电容（V） | 绝缘电阻:CL21X金属膜膜电容器224J/100V电容CL233X电容CL21B电容（mΩ） | 温度系数:CL21X金属膜膜电容器224J/100V电容CL233X电容CL21B电容 | 标称容量:CL21X金属膜膜电容器224J/100V电容CL233X电容CL21B电容

品牌:Samsung/三星 | 型号:0805 683K 50V X7R | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:其他 | 外形:方块状 | 允许偏差:±10（%） | 耐压值:50（V） | 标称容量:0.068

品牌:三星 | 型号:0805-105K | 介质材料:铝电解 | 应用范围:旁路 | 外形:圆片形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:微调 | 引线类型:轴向引出线 | 允许偏差:±0.002（%） | 耐压值:2（V） | 等效串联电阻(ESR):100（mΩ） | 损耗:小 | 额定电压:220（V） | 绝缘电阻:50（mΩ） | 温度系数:0.6 | 标称容量:50

品牌:Samsung/三星 | 型号:CL21B105KAFNNNE | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:滤波 | 外形:长方形 | 功率特性:大功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±10（%） | 耐压值:25（V） | 等效串联电阻(ESR):1（mΩ） | 损耗:0 | 额定电压:25（V） | 绝缘电阻:0（mΩ） | 温度系数:105 | 标称容量:1

品牌:Samsung/三星 | 型号:CL21B106KBFNNNC 0805 50V 10UF | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:高压 | 外形:长方形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±10（%） | 耐压值:3000（V） | 等效串联电阻(ESR):标准（mΩ） | 损耗:标准 | 额定电压:6.3V-5KV（V） | 绝缘电阻:标准（mΩ） | 温度系数:-55-+125度 | 标称容量:10PF-100UF

品牌:Samsung/三星 | 型号:CL21B105KOFNNNE | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:低压 | 外形:长方形 | 功率特性:小功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±10（%） | 耐压值:50（V） | 等效串联电阻(ESR):1.2（mΩ） | 损耗:0.37 | 额定电压:25（V） | 绝缘电阻:0.12（mΩ） | 温度系数:105 | 标称容量:1UF

品牌:Samsung/三星 | 型号:CL21B225KAFNNNE | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:滤波 | 外形:长方形 | 功率特性:大功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±10（%） | 耐压值:25（V） | 额定电压:25（V） | 标称容量:2.2

品牌:Samsung/三星 | 型号:CL21B473KBCNNNC | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:滤波 | 外形:长方形 | 功率特性:小功率 | 频率特性:低频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±10（%） | 耐压值:50（V） | 等效串联电阻(ESR):1（mΩ） | 损耗:0 | 额定电压:50（V） | 绝缘电阻:1（mΩ） | 温度系数:X7R | 标称容量:0.047

品牌:Samsung/三星 | 型号:0805 223KB | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:滤波 | 外形:长方形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:微调 | 引线类型:轴向引出线 | 等效串联电阻(ESR):-（mΩ）（mΩ） | 损耗:- | 额定电压:50（V）（V） | 绝缘电阻:-（mΩ）（mΩ） | 温度系数:- | 标称容量:0.022（uF）

品牌:Samsung/三星 | 型号:CL21B104KBCNNNC | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:旁路 | 外形:长方形 | 功率特性:大功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±10（%） | 耐压值:50（V） | 等效串联电阻(ESR):50（mΩ） | 损耗:0 | 额定电压:50（V） | 绝缘电阻:0（mΩ） | 温度系数:105 | 标称容量:0.1

品牌:SBD | 型号:CL21B 392J250V | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:滤波 | 外形:方块状 | 功率特性:小功率 | 频率特性:低频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±5（%） | 耐压值:250（V） | 损耗:小于1.0% | 额定电压:250（V） | 绝缘电阻:≥7500（mΩ） | 温度系数:40／85／21 | 标称容量:0.0039

品牌:Samsung/三星 | 型号:CL21B203KBANNNC | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:滤波 | 外形:长方形 | 功率特性:中功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±10（%） | 耐压值:50（V） | 额定电压:50（V） | 标称容量:0.02

品牌:Samsung/三星 | 型号:CL21B106KAYNNNE | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:旁路 | 外形:长方形 | 功率特性:小功率 | 频率特性:中频 | 调节方式:固定 | 引线类型:无引线 | 允许偏差:±10（%） | 耐压值:25（V） | 等效串联电阻(ESR):-（mΩ） | 额定电压:25V（V） | 绝缘电阻:-（mΩ） | 标称容量:10

品牌:SBD | 型号:CL21B 475J250V | 介质材料:有机薄膜 | 应用范围:滤波 | 外形:方块状 | 功率特性:中功率 | 频率特性:高频 | 调节方式:固定 | 引线类型:同向引出线 | 允许偏差:±5（%） | 耐压值:250（V） | 标称容量:4.7（uF） | 损耗:小于1.0% | 额定电压:250（V） | 绝缘电阻:≥7500（mΩ） | 温度系数:40／85／21