品牌:AOS/美国万代 | 型号:AOT470 T470 | 沟道类型:其他 | 材料:硅(Si) | 封装形式:TO-220 | 应用范围:放大

应用范围:放大 | 品牌:AOS/美国万代 | 型号:D436 | 材料:硅(Si) | 封装形式:TO251/252

品牌:IXY美国电报半导体 | 型号:IXGQ90N33TCD1 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IXY美国电报半导体 | 型号:IXGH16N60C2D1 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IXY美国电报半导体 | 型号:IXFH50N20 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:IXY美国电报半导体 | 型号:IXFH50N80 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:FM/调频 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:APT美国先进功率 | 型号:APTCC1038 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金属半导体

品牌:APT美国先进功率 | 型号:APT10090BLLG | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金属半导体

品牌:APT美国先进功率 | 型号:APT5020BVFR | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金属半导体

品牌:APT美国先进功率 | 型号:APT5025BN | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

品牌:APT美国先进功率 | 型号:APT30GT60BRDG | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金属半导体 | 封装形式:直插型 | 应用范围:功率

应用范围:功率 | 品牌:MOT 美国摩托罗拉 | 型号:MBR7030WT | 封装形式:直插型 | 加工定制:否

类型:其他IC | 品牌:APT美国先进功率 | 型号:APT8030LVFRG | 封装:TO-264 | 批号:12+ | 材料:硅(Si) | 应用范围:功率

应用范围:放大 | 品牌:APT美国先进功率 | 型号:APT6015LVFR | 材料:MES金属半导体

品牌:APT美国先进功率 | 型号:APT6011LVRX | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金属半导体

类型:其他IC | 品牌:APT美国先进功率 | 型号:APT5014LVR | 用途:L/功率放大 | 封装:TO-264 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道

品牌:APT美国先进功率 | 型号:APT5012LNR | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道

应用范围:放大 | 品牌:APT美国先进功率 | 型号:APT5010LVFR | 材料:MES金属半导体 | 封装形式:TO-264

类型:其他IC | 品牌:APT美国先进功率 | 型号:APT12060LVR | 用途:L/功率放大 | 封装:TO-264