1200Vdc 4微法 MFD电容

1200Vdc  4微法 MFD电容

1.产品简介及展示
现代变速传动用静态变频器，其中半导体的开关作用产生很多的寄生信号，因此，在线路中需要电容器进行滤波、消除纹波和谐波。该自愈式金属化薄膜电容器可以作为中间电路的直流连接和谐波滤波用，同时，也可作为控制电路中的嵌位及吸收电容器。
 
电容器原材料膜，经过特殊的金属化镀层—浙变方阻。通过在聚丙烯基膜的一面上进行特殊的真空蒸镀工艺，使镀层的厚度在薄膜的不同位置是产生不同的厚度。
 连接引出处，增加镀层度可以大大提高电容器处理大电流能力。而特殊的金属化镀层的结构使得自愈性能
和串联电阻变得更为合理，其实际的结构构造使得电容器的性能发挥的更加彻底。同时保证了容量的
稳定和精度，电感量低，大幅提高了耐大电压、涌流的强度。


 
2.技术参数

 
 
 

额定容量Capacitance C (μF)	4.0μ              40μf	10μF	20μF	50μF	3μF
额定电压Rated DC voltage Un (V)	1250VDC	1400VDC	1400VDC	350VDC	500VDC
最大电流Max rms Current Imax   (A)	40A	18A	35A	35A	45A
电容量偏差Capacitance tolerance（J）：	±5%	±5%	±5%	±5%	±5%
dv/dt (V/μs)	200	200	200	200	800
自感量Self Inductance Rs (nH)	≤10	≤10	≤10	≤10	≤10
端子间测试电压Ut-t（V）	1200V, 10S	1800V, 10S	1800V, 10S	600V, 10S	1800V, 10S
端子与外壳间测试电压Ut-c (V):	4000VAC, 60S	4000VAC, 60S	4000VAC, 60S	4000VAC, 60S	4000VAC, 60S
ф直径×高度фd×h ( mm)	74*46*49	ф50×60	ф50×60	ф50×60	50*44*50
损耗角正切：tgδ(20℃,10kHz)	≤100×10－4	≤30×10－4	≤50×10－4	≤55×10－4	≤10×10－4

 

3.特点
 
²    应用于大功率高频开关电源中高频脉冲电流吸收、滤波
 
²    等效串联电阻小，能承受较大的纹波电流和大电流冲击
 
²    自感小，高频特性好
²    有自愈性
²    寿命长
 
²    塑料外壳，树酯灌封
4.应用场合
²    用于高频开关电源中滤波、吸收、隔直、谐振电路，用于EMI电路，如高频逆变焊机、UPS、电动汽车
车
 
5.认证 
6.我们公司的实力
7.我们赛福的优势在哪?
 
一、作为国家高新技术企业，我们拥有21年的电容经验、25项行业专利和多项发明专利！
 
二、ISO9001质量管理体系认证和CQC产品认证，保证所生产产品的质量和一致性！
 
三、现代化的工厂和净化车间，世界一流的生产设备，多位专家组成的技术质量团队！
 
致力于成为世界一流供应商！
公司网站www.anhuisafe.cn服务热线133 0562 0015