加工定制:是 | 品牌:JORGANTRONICS | 型号:pcb | 机械刚性:刚性 | 层数:单面 | 基材:铜 | 绝缘材料:有机树脂 | 绝缘层厚度:常规板 | 阻燃特性:VO板 | 加工工艺:电解箔 | 增强材料:玻纤布基 | 绝缘树脂:酚醛树脂 | 产品性质:热销 | 营销方式:厂家直销 | 营销价格:优惠

加工定制:是 | 类型:网纱 | 型号:PET 59T/150-64W | 编织方法:PW1:1 | 理论油墨量:46 cm³/㎡

加工定制:是 | 品牌:恒科盛 | 型号:电路板 | 机械刚性:刚性 | 层数:多层 | 基材:铜 | 绝缘材料:有机树脂 | 绝缘层厚度:常规板 | 阻燃特性:VO板 | 加工工艺:电解箔 | 增强材料:玻纤布基 | 绝缘树脂:酚醛树脂 | 产品性质:军工 | 营销方式:厂家直销 | 营销价格:优惠

类型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:E13005F2 | 用途:D/变频换流 | 封装:TO-220 | 批号:10 | 最大漏极电流:标准 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 低频噪声系数:标准

品牌:Dow Corning/道康宁 | 型号:1-2577 | 包装规格:18KG/桶 | 粘合材料类型:玻璃，橡胶类，塑料类，陶瓷，金属类，电子元件 | 有效物质≥:100（％） | 剪切强度:20（MPa） | 规格尺寸:5（mm） | 保质期:12（个月） | 执行标准:AAA | CAS:20000 | 工作温度:-50-200 | 粘度:950 | 固化方式:室温固化 | 产地:美国 | 有效期:1年 | 功能:密封绝缘 | 用途范围:工业涂覆

品牌:IR/国际整流器 | 型号:IRG4PH50UDPBF | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:MOS-INM/独立组件 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 类型:其他IC | 批号:新年份 | 封装:TO-247

品牌:crcbond | 型号:195553 | 粘合材料类型:玻璃，电子元件，皮革，塑料类，橡胶类，纤维类，石材类，金属类，陶瓷，医学类，纸张类 | 粘度:25000（Pa·s） | 热熔胶类型:家具热熔胶 | 树脂胶的分类:丙烯酸酯胶 | 发货期限:10

类型:其他IC | 品牌:ABB | 型号:5STP 18F1800 | 功率:5STP 18F1800 | 用途:军工 | 封装:陶瓷封装

类型:稳压IC | 品牌:SILAN/士兰微 | 型号:SVD12N65 | 封装:TO220 | 批号:11+ | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 沟道类型:N沟道 | 种类:绝缘栅(MOSFET)

类型:其他IC | 品牌:ABB | 型号:5STP 12F4200 | 功率:5STP 12F4200 | 用途:军工 | 封装:陶瓷封装

类型:其他IC | 品牌:ABB | 型号:5STP 27H2801 | 功率:5STP 27H2801 | 用途:军工 | 封装:陶瓷封装

类型:其他IC | 品牌:ABB | 型号:5STP 27H2601 | 功率:5STP 27H2601 | 用途:军工 | 封装:陶瓷封装

类型:其他IC | 品牌:ABB | 型号:5STP 27H2401 | 功率:5STP 27H2401 | 用途:军工 | 封装:陶瓷封装

加工定制:是 | 品牌:TPS | 型号:059-1 | 测量范围:1~100K欧 | 测量精度:10% | 适用范围:位置传感器电阻片 | 电压线性精度:2%V内 | 材料:进口浆料 | 耐磨寿命:400万次以上

印刷产品范围:电路板 | 服务项目:设计，制版，出片，印刷，烫花印刷，装订，后期加工 | 成品尺寸:强 | 承印材质:竹，木，建材，陶瓷，搪瓷，玻璃，其他 | 印刷工艺:丝网印刷，烫印，移印，丝印，热转印 | 印后加工:表面整饰加工 | 是否加印logo:是 | 交货方式:客车自提 | 设计打样周期:1-3天 | 生产周期:4-7天 | 印刷设备:移印机，丝印机，热转印机 | 印刷设备描述:强 | 年最大印刷能力:强 | 年剩余印刷能力:强

类型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQU6N25 | 功率:. | 用途:MAP/匹配对管 | 封装:TO251 | 最大漏极电流:4.4A | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 极间电容:7.5

类型:其他IC | 品牌:Littelfuse/力特 | 型号:K1400E70 | 功率:1A | 封装:TO-92 | 批号:来电查询 | 极数:二极 | 控制方式:其他 | 封装材料:陶瓷封装

品牌:ST/意法 | 型号:L6562N | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 封装形式:DIP-8 | 集电极最大允许电流ICM:齐全 | 截止频率fT:齐全

品牌:国产 | 型号:6PIN 8PIN 14PIN 16PIN 18PIN 20PIN 24PIN 28PIN 32PI | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:A/宽频带放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS铝镓砷 | 最大漏极电流:标准 | 跨导:标准 | 开启电压:标准 | 夹断电压:标准 | 低频噪声系数:标准 | 极间电容:标准 | 最大耗散功率:标准