高压贴片电容0805-474K 50V 100V X7R 三星

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梯度价格 ¥2.20
型号
0805-474K 50V 100V X7R
品牌
Samsung/三星
介质材料
陶瓷(瓷介)
应用范围
高压
外形
长方形
功率特性
中功率
频率特性
中频
调节方式
固定
引线类型
无引线
允许偏差
±10(%)
耐压值
50(V)
等效串联电阻(ESR)
标准(mΩ)
标称容量
0.47(uF)
损耗
标准
额定电压
50(V)
绝缘电阻
标准(mΩ)
温度系数
-55~125℃

高压贴片电容

材质区别:
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由
于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、
容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来
选用不同的电容器。
 
一、NPO电容器
       NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐
和一些其它稀有氧化物组成的。
       NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到125℃时容量
变化0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小±0.05%,  相对大于±2%薄膜电容的
来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封
装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的
频率特性好。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
 
封装DC=50VDC=100V
08050.5---10000pF0.5---8200pF
12060.5---12000pF0.5---18000pF
1210 560---56000pF560---27000pF
22251000pF---0.33μF1000pF---0.18μF

 
二、X7R电容器
      X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到125℃时其容量变化为15%,需要注的
是此时电容器容量变化是非线性的。
      X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的, 它也随时间的变化而变化,
大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。
      X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接
受的条件下。 它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电
容器可选取的容量范围。
 
封装DC=50VDC=100V
0805330pF---0.56μF330pF---0.12μF
1206 1000pF---1.5μF1000pF---0.47μF
12101000pF---2.2μF1000pF---1μF
22250.01μF---10μF0.01μF---5.6μF

 
三、Z5U电容器
       Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对
于Z5U电容的主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的
体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化
率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、 等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有
广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围
      
封装DC=25V DC=25V DC=50V
08050.01μF---1.2μF0.01μF---1μF
12060.01μF---3.3μF0.01μF---2.7μF
12100.01μF---6.8μF0.01μF---4.7μF
22550.01μF---10μF0.01μF---10μF

 
四、Y5V电容器
      Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器在-30℃到85℃范围内其容量变化可达
22%到-82%。Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。工作
温度范围-30℃--- 85℃,温度特性22%---- -82%。Y5V电容器的取值范围如下表所示
 
封装DC=25VDC=50V
0805 0.01μF---3.9μF0.01μF---1μF
12060.01μF---10μF0.01μF---3.3μF
12100.1μF---15μF0.01μF---4.7μF
22550.68μF---22μF0.68μF---15μF


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