吸收集成电路制造技术吸收集成电路集成电路芯片传感器集成电类

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034 电荷泵电路和集成电路
[摘要] 一种用于提升电路电压的电荷泵电路,其包括:直流-直流升压变换器(14),其具有用于将电路电压提升至较高电压的电容器阵列,直流-直流升压变换器具有用于输出较高电压的输出引线(8);与输出引线连接的直流-直流降压变换器(30),直流-直流降压变换器具有用于降低较高电压的电容器和二极管阵列;和ESP(静电释放保护)电路,其包括用于从输出引线吸收电流的N个串联连接的二极管的串(42),其中N是大于2的整数,每个二极管的阳极均与输出引线永久地连接,每个二极管的阴极均与参考电势永久地连接,其中所述串包括直流-直流降压变换器的二极管。

027 具有核心部和输入输出部的集成电路
[摘要] 本发明提供一种具有核心部和输入输出部的集成电路。核心部实现规定的功能。I/O部进行与外部的输入输出控制。分别被独立地进行电源控制,在核心部的电源下降时,保持I/O部的电源,同时将从I/O部输出到核心部的信号固定在低电平。第一电平移动器以及第二电平移动器设置在核心部和I/O部之间,吸收它们的电源电压电平的差异。核心部的电源下降时,使第一电平移动器以及第二电平移动器的电源下降。

003 用于集成电路内微控制器的弱上拉禁止方法及其机构以及使用这种集成电路的无绳电话机
[摘要] 本发明涉及一种弱上拉禁止方法和与合并入集成电路内的微控制器连用的弱上拉禁止机构。弱上拉禁止机构合并入包含微控制器的集成电路内。该机构禁止微控制器I/O缓冲器的弱上拉。弱上拉用于把相关联端口的电压拉高。通过这样禁止弱上拉,取消了在输入模式时吸收电流的驱动器。因有了弱上拉禁止机构所以不需要外部驱动器,降低了集成电路的电能消耗。

017 冷却集成电路元件的装置以及具有该装置的盘驱动器
[摘要] 一种冷却集成电路元件的装置,该装置包括具有小于集成电路元件的通孔的印刷电路板;附着于集成电路元件的第一元件表面的冷却垫,其位于该通孔中;连接热量吸收体的热量传递部,其与冷却垫接触将热量传递至热量吸收体,这样,安装在印刷电路板的第一表面上的集成电路元件通过将其产生的热量传递至热量吸收体而冷却,该热量吸收体面向与第一表面相反的印刷电路板的第二表面布置。

035 具有晶圆黏片胶带的集成电路及其封装方法
[摘要] 本发明是有关于一种具有晶圆黏片胶带的集成电路及其封装方法。该集成电路包含晶片及连接于晶片背部表面的异方性导电膜。晶片具有前表面、位于晶片前表面的反面的背部表面以及于晶片背部表面的硅贯通电极。本发明利用异方性导电膜作为晶片的电性连接层,可以吸收硅贯通电极凸出长度的差异。如此可避免传统封装制程中晶片倾斜的情况,当封装完毕后,晶片可平行于相对应的封装基板。

008 集成电路的散热片
024 集成电路以及形成用于晶体管栅电极的隔离层的方法
006 静电保护电路以及使用了该电路的半导体集成电路
005 对氢具有低敏感度的铁电集成电路及其制造方法
020 集成电路块冷却装置
010 用于大规模集成电路冷却的激光制冷器
018 模拟装置和设计半导体集成电路的方法
011 改进的集成电路的圆筒式散热器
012 改进的集成电路散热暨扣具总成结构
023 使用反射掩膜的集成电路
026 薄膜集成电路及制造该薄膜集成电路、CPU、存储器、电子卡和电子设备的方法
015 一种集成电路用热管散热器及其制造方法
025 包括光吸收层的图像传感器集成电路器件及其制造方法
037 电压控制的容性元件及半导体集成电路
016 降低热传递的驱动激光二极管的集成电路设备及其制造方法
031 集成电路测试卡
021 半导体集成电路
004 半导体集成电路器件
001 用于集成电路芯片的冷却系统
013 半导体集成电路以及信号发送接收系统
036 具有抗反射涂层的集成电路
029 用于在光学集成电路上制造抗反射表面的方法
009 一种数字程控交换机双路保护厚膜集成电路
014 电源电路和半导体集成电路设备
033 集成电路测试装置
002 集成电路器件的安装构造和安装方法
019 半导体集成电路
028 集成电路卡及其制造方法
022 电压控制的容性元件及半导体集成电路
030 制造电子集成电路的方法以及由此获得的电子集成电路
032 集成电路的制造方法
007 管芯焊盘龟裂吸收集成电路芯片及其制造方法
038 混合集成电路装置

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