100-999 PCS
¥0.10
≥1000 PCS
¥0.09
应用范围:放大 | 品牌:浩畅 | 型号:S9011 | 材料:硅(Si) | 封装形式:TO-92
≥1 K
¥55.00
≥100 PCS
¥0.20
应用范围:放大 | 品牌:中性 | 型号:13007 | 材料:硅(Si) | 封装形式:TO-22O
应用范围:放大 | 品牌:FREESCALE/飞思卡尔 | 型号:13007 | 封装形式:TO-220 | 集电极最大耗散功率PCM:1 | 极性:NPN型 | 集电极最大允许电流ICM:1 | 截止频率fT:1 | 结构:点接触型 | 封装材料:塑料封装 | 加工定制:否 | 击穿电压VCEO:1
≥1000 PCS
¥3.00
应用范围:振荡 | 品牌:国产 | 型号:2SB772 | 材料:锗(Ge) | 封装形式:TO-92 | 集电极最大耗散功率PCM:1 | 集电极最大允许电流ICM:3 | 截止频率fT:0
应用范围:功率 | 品牌:国产 | 型号:79L05 79L08 79L09 79L12 79L15 | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插型 | 集电极最大耗散功率PCM:0.65 | 集电极最大允许电流ICM:1 | 极性:PNP型 | 截止频率fT:12 | 结构:合金扩散型 | 封装材料:树脂封装 | 加工定制:否 | 击穿电压VCEO:1KV
≥3000 PCS
¥0.13
应用范围:功率 | 品牌:国产 | 型号:78L05 78L08 78L09 78L12 78L15 | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插型 | 集电极最大耗散功率PCM:0.65 | 集电极最大允许电流ICM:1 | 极性:PNP型 | 截止频率fT:12 | 结构:合金扩散型 | 封装材料:树脂封装 | 加工定制:否 | 击穿电压VCEO:1KV
≥3000 PCS
¥0.13
应用范围:功率 | 品牌:长电 | 型号:国产三极管 2N7002 2SA733 直插/TO-92 | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插型 | 集电极最大耗散功率PCM:0.65 | 集电极最大允许电流ICM:1 | 极性:PNP型 | 截止频率fT:12 | 结构:合金扩散型 | 封装材料:树脂封装 | 加工定制:否 | 击穿电压VCEO:1KV
≥1000 PCS
¥0.04
应用范围:功率 | 品牌:长电 | 型号:2N3904/2N3906 | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插型 | 集电极最大耗散功率PCM:0.65 | 集电极最大允许电流ICM:1 | 极性:PNP型 | 截止频率fT:12 | 结构:合金扩散型 | 封装材料:树脂封装 | 加工定制:否 | 100:150 | 击穿电压VCEO:1KV
≥1000 PCS
¥0.03
应用范围:功率 | 品牌:长电 | 型号:S9014/S9018 | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插型 | 集电极最大耗散功率PCM:0.65 | 集电极最大允许电流ICM:1 | 极性:PNP型 | 截止频率fT:12 | 结构:合金扩散型 | 封装材料:树脂封装 | 加工定制:否 | 100:150 | 击穿电压VCEO:1KV
≥1000 PCS
¥0.03
应用范围:功率 | 品牌:长电 | 型号:S9014/S9015 | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插型 | 集电极最大耗散功率PCM:0.65 | 集电极最大允许电流ICM:1 | 极性:PNP型 | 截止频率fT:12 | 结构:合金扩散型 | 封装材料:树脂封装 | 加工定制:否 | 击穿电压VCEO:1KV
≥1000 PCS
¥0.03
应用范围:功率 | 品牌:国产 | 型号:SS8550 | 材料:硅(Si) | 封装形式:TO-92
≥1 PCS
¥0.08
应用范围:放大 | 品牌:CJ/长电 | 型号:2SA1015 | 材料:硅(Si) | 封装形式:TO-92/SOT23 | 属性:晶体管
≥10 K
¥24.00
应用范围:放大 | 品牌:科威 | 型号:S8050.S8550 | 材料:锗(Ge) | 封装形式:-92 | 集电极最大耗散功率PCM:0.5 | 集电极最大允许电流ICM:500m | 极性:NPN型 | 截止频率fT:100-200 | 结构:点接触型 | 封装材料:树脂封装 | 是否提供加工定制:是
1-10 K
¥36.00
≥11 K
¥35.00
应用范围:放大 | 品牌:长电 | 型号:2N7000 | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插型 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 沟道类型:P沟道 | 种类:绝缘栅(MOSFET)
≥1 K
¥113.00
应用范围:放大 | 品牌:长电 | 型号:直插三极管 2SA1015GR | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插型 | 集电极最大耗散功率PCM:400 | 集电极最大允许电流ICM:-150 | 极性:N/P型 | 截止频率fT:80 | 结构:点接触型 | 封装材料:塑料封装 | 加工定制:否 | 击穿电压VCEO://
≥1000 PCS
¥0.06
应用范围:放大 | 品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:C945P | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插型 | 集电极最大耗散功率PCM:8 | 集电极最大允许电流ICM:8 | 极性:NPN型 | 截止频率fT:8 | 结构:点接触型 | 封装材料:金属封装 | 加工定制:否 | 击穿电压VCEO:1
≥1 K
¥30.00
应用范围:放大 | 品牌:长电 | 型号:直插三极管 2SA1015GR | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插型 | 集电极最大耗散功率PCM:400 | 集电极最大允许电流ICM:-150 | 极性:N/P型 | 截止频率fT:80 | 结构:点接触型 | 封装材料:塑料封装 | 加工定制:否 | 击穿电压VCEO://
≥1000 PCS
¥0.06
品牌:TOSHIBA/东芝 | 型号:FOR3G FOR4G | 控制方式:单向 | 极数:三极 | 封装材料:塑料封装 | 封装外形:螺旋形 | 关断速度:普通 | 散热功能:带散热片 | 频率特性:超高频 | 功率特性:大功率 | 额定正向平均电流:.(A) | 控制极触发电流:.(mA) | 最大稳定工作电流:.(A) | 反向重复峰值电压:.(V) | 集电极最大允许电流ICM:. | 封装形式:直插型 | 截止频率fT:.
≥10 PCS
¥0.98