品牌:南韩东川 | 型号:Ф6-60P | 介质材料:陶瓷(瓷介) | 应用范围:高频消振 | 外形:圆柱形 | 频率特性:高频 | 调节方式:微调 | 允许偏差:±30(%) | 耐压值:250(V) | 等效串联电阻(ESR):5(mΩ) | 额定电压:200(V) | 绝缘电阻:1(mΩ) | 温度系数:200PPM | 标称容量:12-60p
500-19999 PCS
¥0.18
≥20000 PCS
¥0.15
品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SC1941 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥0.20
品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SC1654 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥0.20
品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SC2654 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥0.20
品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SC4499 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥0.20
品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SB1396 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥0.20
品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SC4548 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥0.20
品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SC4094 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥0.20
品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SC4703 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥0.20
品牌:NEC/日本电气 | 型号:2SC2463DE | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N沟道
≥1 个
¥0.20