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参数资料
| 型号： | CY7C1487V25-133BGI |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| 中文描述： | 1M X 72 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA209 |
| 封装： | 14 X 22 MM, 1.76 MM HEIGHT, FBGA-209 |
| 文件页数： | 15/30页 |
| 文件大小： | 1028K |
| 代理商： | CY7C1487V25-133BGI |
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CY7C1481V25
CY7C1483V25
CY7C1487V25
Document #: 38-05281 Rev. *H
Page 15 of 30
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels................................................ V
SS
to 2.5V
Input rise and fall time..................................................... 1 ns
Input timing reference levels.........................................1.25V
Output reference levels.................................................1.25V
Test load termination supply voltage.............................1.25V
1.8V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels..................................... 0.2V to V
DDQ
– 0.2
Input rise and fall time .....................................................1 ns
Input timing reference levels...........................................0.9V
Output reference levels ..................................................0.9V
Test load termination supply voltage ..............................0.9V
2.5V TAP AC Output Load Equivalent
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
50
1.8V TAP AC Output Load Equivalent
TDO
0.9V
20pF
Z = 50
50
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < T
A
< +70°C; V
DD
= 2.5V ±0.125V unless otherwise noted)
[12]
Parameter
V
OH1
V
OH2
Description
Output HIGH Voltage
Output HIGH Voltage
Test Conditions
Min
1.7
2.1
1.6
Max
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μ
A
I
OH
= –1.0 mA
I
OH
= –100
μ
A
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 1.8V
V
OL1
V
OL2
Output LOW Voltage
Output LOW Voltage
I
OL
= 1.0 mA
I
OL
= 100
μ
A
0.4
0.2
0.2
V
IH
Input HIGH Voltage
1.7
1.26
–0.3
–0.3
–5
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.7
0.36
5
V
IL
Input LOW Voltage
I
X
Input Load Current
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
Identification Register Definitions
Instruction Field
CY7C1481V25
(2M x 36)
000
01011
000001
CY7C1483V25
(4M x18)
000
01011
000001
CY7C1487V25
(1M x72)
000
01011
000001
Description
Revision Number (31:29)
Device Depth (28:24)
Architecture/Memory Type(23:18)
Describes the version number
Reserved for Internal Use
Defines memory type and
architecture
Defines width and density
Enables unique identification
of SRAM vendor
Indicates the presence of an
ID register
Bus Width/Density (17:12)
Cypress JEDEC ID Code (11:1)
100100
00000110100
010100
00000110100
110100
00000110100
ID Register Presence Indicator (0)
1
1
1
Note
12.All voltages refer to V
SS
(GND).
[+] Feedback
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