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参数资料
| 型号： | CY7C1487V25-133BGI |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| 中文描述： | 1M X 72 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA209 |
| 封装： | 14 X 22 MM, 1.76 MM HEIGHT, FBGA-209 |
| 文件页数： | 24/30页 |
| 文件大小： | 1028K |
| 代理商： | CY7C1487V25-133BGI |
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CY7C1481V25
CY7C1483V25
CY7C1487V25
Document #: 38-05281 Rev. *H
Page 24 of 30
Read/Write Cycle Timing
[22, 24, 25]
Timing Diagrams
(continued)
tCYC
tCL
CLK
tADH
tADS
ADDRESS
t
CH
tAH
tAS
A2
tCEH
tCES
Single WRITE
D(A3)
A3
A4
BURST READ
Back-to-Back READs
High-Z
Q(A2)
Q(A4)
Q(A4+1)
Q(A4+2)
Q(A4+3)
tWEH
tWES
tOEHZ
tDH
tDS
tCDV
tOELZ
A1
A5
A6
D(A5)
D(A6)
Q(A1)
Back-to-Back
WRITEs
DON’T CARE
UNDEFINED
ADSP
ADSC
BWE, BW
X
CE
ADV
OE
Data In (D)
Data Out (Q)
Notes
24.The data bus (Q) remains in high-Z following a write cycle, unless a new read access is initiated by ADSP or ADSC.
25.GW is HIGH.
[+] Feedback
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1487V25-133BGXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| CY7C1487V25-133BGXI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| CY7C150-10DC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| CY7C150-15PC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:4K (1K X 4)- 24 PIN 300 MIL SEPARATE I/O & RESET SRAM - Bulk |
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