DB105TB

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功能描述
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB-M
制造商
smc diode solutions
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
二极管类型
单相
技术
标准
电压 - 峰值反向（最大值）
600V
电流 - 平均整流（Io）
1A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf
1.1V @ 1A
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
5μA @ 600V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
4-EDIP（0.321"，8.15mm）
供应商器件封装
DB-M
标准包装
50

DB105TB 技术参数

DB105STR 功能描述:BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB-S 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，鸥翼型供应商器件封装:DB-S 标准包装:1 DB105S-G 功能描述:BRIDGE RECT 1A 600V DBS 制造商:comchip technology 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:600V 电流 - DC 正向（If）:1A 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，鸥翼型供应商器件封装:DBS 标准包装:1 DB104S-G 功能描述:RECTIFIER BRIDGE 1A 400V DBS 制造商:comchip technology 系列:- 包装:管件零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，鸥翼型供应商器件封装:DBS 标准包装:50 DB103G 功能描述:DIODE BRIDGE 200V 1A DB 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:200V 电流 - DC 正向（If）:1A 安装类型:通孔封装/外壳:4-EDIP（0.321"，8.15mm）供应商器件封装:DB 标准包装:2,500 DB102S-G 功能描述:RECTIFIER BRIDGE 1A 100V DBS 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 1A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 100V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，鸥翼型供应商器件封装:DBS 标准包装:1 DB107G DB107-G DB107S-G DB107S-HF DB107STR DB107TB DB-1090 DB1111C-TR DB1112H-TR DB1113F-TR DB115339-2 DB11533922 DB115398-2 DB121073151 DB121073-156 DB12107351 DB12C67X DB12NP