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DEIF03-SIM01

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DEIF03-SIM01 技术参数

DEIC421 功能描述:RF MOSFET DRIVER 20 AMP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端输入类型:非反相延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商设备封装:8-DIP 包装:管件其它名称:*IR2127 DEHR33F821KA3B 功能描述:820pF 3150V（3.15kV）陶瓷电容器 R 径向，圆盘 0.472" 直径（12.00mm）制造商:murata electronics north america 系列:DEH 包装:散装零件状态:有效电容:820pF 容差:±10% 电压 - 额定:3150V（3.15kV）温度系数:R 安装类型:通孔工作温度:-25°C ~ 125°C 应用:通用等级:- 封装/外壳:径向，圆盘大小/尺寸:0.472" 直径（12.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.591"（15.00mm）厚度（最大值）:- 引线间距:0.295"（7.50mm）特性:高电压，低耗散因子引线形式:成型引线标准包装:200 DEHR33F681KA3B 功能描述:680pF 3150V（3.15kV）陶瓷电容器 R 径向，圆盘 0.433" 直径（11.00mm）制造商:murata electronics north america 系列:DEH 包装:散装零件状态:有效电容:680pF 容差:±10% 电压 - 额定:3150V（3.15kV）温度系数:R 安装类型:通孔工作温度:-25°C ~ 125°C 应用:通用等级:- 封装/外壳:径向，圆盘大小/尺寸:0.433" 直径（11.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.551"（14.00mm）厚度（最大值）:- 引线间距:0.295"（7.50mm）特性:高电压，低耗散因子引线形式:成型引线标准包装:250 DEHR33F561KA3B 功能描述:560pF 3150V（3.15kV）陶瓷电容器 R 径向，圆盘 0.394" 直径（10.00mm）制造商:murata electronics north america 系列:DEH 包装:散装零件状态:有效电容:560pF 容差:±10% 电压 - 额定:3150V（3.15kV）温度系数:R 安装类型:通孔工作温度:-25°C ~ 125°C 应用:通用等级:- 封装/外壳:径向，圆盘大小/尺寸:0.394" 直径（10.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.512"（13.00mm）厚度（最大值）:- 引线间距:0.295"（7.50mm）特性:高电压，低耗散因子引线形式:成型引线标准包装:250 DEHR33F471KN3A 功能描述:470pF 3150V（3.15kV）陶瓷电容器 R 径向，圆盘 0.394" 直径（10.00mm）制造商:murata electronics north america 系列:DEH 包装:剪切带（CT）零件状态:有效电容:470pF 容差:±10% 电压 - 额定:3150V（3.15kV）温度系数:R 安装类型:通孔工作温度:-25°C ~ 125°C 应用:通用等级:- 封装/外壳:径向，圆盘大小/尺寸:0.394" 直径（10.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.512"（13.00mm）厚度（最大值）:- 引线间距:0.295"（7.50mm）特性:高电压，低耗散因子引线形式:成型引线标准包装:1 DEJE3E2332ZB3B DEJE3E2332ZN2A DEJE3E2332ZN3A DEJE3E2472ZA3B DEJE3E2472ZB3B DEJE3E2472ZN2A DEJE3E2472ZN3A DEJF3E2103ZA3B DEJF3E2103ZB3B DEJF3E2103ZN2A DEJF3E2103ZN3A DEJF3E2472ZA3B DEJF3E2472ZB3B DEJF3E2472ZN2A DEJF3E2472ZN3A DEJK9S4-1AWN DEK9P DEK9PUK87