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DFE30I600QA

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DFE30I600QA 技术参数
  • DFE252012R-H-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 216 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012R 包装:* 零件状态:新产品 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.4A 电流 - 饱和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):216 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 DFE252012R-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2A 90 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012R 包装:* 零件状态:新产品 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:2A 电流 - 饱和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):90 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 DFE252012R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 65 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012R 包装:* 零件状态:新产品 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:2.5A 电流 - 饱和值:2.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):65 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 DFE252012R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 49 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012R 包装:* 零件状态:新产品 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:1μH 容差:±20% 额定电流:3.1A 电流 - 饱和值:3.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):49 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 DFE252012P-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 3.5A 37 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包装:* 零件状态:新产品 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁粉 电感:680nH 容差:±20% 额定电流:3.5A 电流 - 饱和值:4.8A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):37 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装(最大值):* 标准包装:1 DFEG10040D-6R8M=P3 DFEG10040D-8R2M=P3 DFEG12060D-100M=P3 DFEG12060D-150M=P3 DFEG12060D-1R0M=P3 DFEG12060D-1R5M=P3 DFEG12060D-220M=P3 DFEG12060D-2R2M=P3 DFEG12060D-3R3M=P3 DFEG12060D-4R7M=P3 DFEG12060D-5R6M=P3 DFEG12060D-6R8M=P3 DFEG12060D-8R2M=P3 DFEG7030D-100M=P3 DFEG7030D-150M=P3 DFEG7030D-1R0M=P3 DFEG7030D-1R5M=P3 DFEG7030D-220M=P3
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