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DMC506E20R

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  • DMC506E20R
    DMC506E20R

    DMC506E20R

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Panasonic Electronic Comp

  • SOT-363

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  • 全新原装现货

  • DMC506E20R
    DMC506E20R

    DMC506E20R

  • 深圳市欧和宁电子有限公司
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    联系人:李先生

    电话:0755-292759351581559886118576729816

    地址:广东省 深圳市 福田区 华强北赛格科技园6C18室

  • 82490

  • PANASONIC

  • SOT-363

  • 新年份

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  • DMC506E20R
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    DMC506E20R

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 10750

  • PANASONIC

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

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  • 制造商
  • Panasonic Industrial Devices
  • 功能描述
  • GP BJT NPN 20V 0.015A 6-PIN
  • 制造商
  • Panasonic Industrial Devices
  • 功能描述
  • SC,Composite Transistors (NPN x 2 Series NPN Dual, For Digital circuits, VCEO
  • 制造商
  • Panasonic Industrial Company
  • 功能描述
  • SC,COMPOSITE TRANSISTORS (NPN X 2 SERIES / NPN DUAL, FOR DIGITAL CIRCUITS, VCEO
DMC506E20R 技术参数
  • DMC-40202NY-LY-AZE-BDN 功能描述:Character LCD Display Module Transmissive 5 x 8 Dots STN - Super-Twisted Nematic LED - Yellow/Green Parallel 182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 制造商:kyocera international, inc. 系列:- 零件状态:过期 字符数:80 显示格式:40 x 2 字符格式:5 x 8 点 显示类型:STN - 超扭转向列 显示模式:可传导的 字符大小:- 外形尺寸 L x W x H:182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 可视范围:152.50mm 长 x 16.50mm 宽 背光:LED - 黄/绿 电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V 点尺寸:- 接口:并联 工作温度:0°C ~ 50°C 文字颜色:黄 背景颜色:绿 标准包装:140 DMC4015SSD-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.6A,6.2A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 3A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1810pF @ 20V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 DMC3021LSDQ-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A,7A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):16.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):767pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 DMC25D1UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):25V,12V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):500mA,3.9A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 欧姆 @ 400mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.9nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):27.6pF @ 10V 功率 - 最大值:1.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:TSOT-26 标准包装:1 DMC25D0UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):25V,30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):400mA,3.2A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 欧姆 @ 400mA,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 8V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):26.2pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 供应商器件封装:TSOT-26 标准包装:1 DMC5610L0R DMC5610M0R DMC5610N0R DMC562000R DMC562050R DMC564000R DMC564010R DMC564020R DMC564030R DMC564040R DMC564050R DMC564060R DMC564070R DMC5640L0R DMC5640M0R DMC566000R DMC566030R DMC566040R
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