DMJ70H1D3SI3

配单专家企业名单

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数量
厂商
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价格
说明
操作

DMJ70H1D3SI3
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

DMJ70H1D3SI3
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Diodes Incorporated
TO-251
17+
-
全新原装现货

DMJ70H1D3SI3
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
5000
isc,iscsemi
IPAK/TO-251
2024+
-
国产品牌，可替代原装

DMJ70H1D3SI3
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
60
Diodes Incorporated
TO-251-3 短截引线，IPak
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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1

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DMJ70H1D3SI3 技术参数

DMHE001 功能描述:DSUB 9 METAL DIE CAST B/S 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件状态:有效标准包装:1 DMHA14R5V353M4ATA0 功能描述:SUPERCAPACITOR 制造商:murata electronics north america 系列:DMH 包装:托盘零件状态:在售电容:35mF 容差:±20% 电压 - 额定:4.5V ESR（等效串联电阻）:300 毫欧 @ 1kHz 不同温度时的使用寿命:- 端接:SMD（SMT）凸片安装类型:表面贴装封装/外壳:4-SMD，扁平引线引线间距:- 大小/尺寸:0.787" 长 x 0.787" 宽（20.00mm x 20.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.016"（0.40mm）工作温度:-40°C ~ 85°C 标准包装:500 DMG8880LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 11.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:27.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1289pF @ 15V 功率 - 最大值:1.43W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 DMG4712SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11.2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:14 毫欧 @ 11.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2296pF @ 15V 功率 - 最大值:1.55W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOP 标准包装:1 DMG4468LFG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.62A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 11.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18.85nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:867pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerUDFN 供应商器件封装:DFN3030-8 标准包装:1 DMKP075BG-180 DMKP125BG-180 DMKP187BG-180 DML1005LDS-7 DML1006LDS-7 DML1007LDS-7 DML1008LDS-7 DML1009LDS-13 DML1009LDS-7 DML10M8LDS-13 DML3006LFDS-7 DML3009LDC-7 DML-430A DML-430A-C DM-LX3-1 DMM1P15K-F DMM1P22K-F DMM1P33K-F