DMN60H080DS-7

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DMN60H080DS-7
现货
深圳市品业电子有限公司
深圳市品业电子有限公司
联系人：李小姐
电话：0755-23895664
地址：华强街道振华路深纺大厦C座2楼2H55
8520
DIODES
SOT23
16+
-
只做原装正品现货价格优势

DMN60H080DS-7
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Diodes Incorporated
TO-236-3，SC-59，SOT-2
21+
-
质量保真，价格实惠，假一罚十

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1

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DMN60H080DS-7 技术参数

DMN4040SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:945pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.71W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252-3 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 DMN4034SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:453pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:34 毫欧 @ 6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SOP 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:1 DMN4030LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:604pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.14W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:30 毫欧 @ 12A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252-3 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 DMN4026SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 28A TO252 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:21.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1181pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 DMN4015LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2072pF @ 20V 功率 - 最大值:2.19W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标准包装:1 DMN61D8LQ-7 DMN61D8LVT-13 DMN61D8LVT-7 DMN61D8LVTQ-13 DMN61D8LVTQ-7 DMN61D9U-13 DMN61D9U-7 DMN61D9UDW-13 DMN61D9UDW-7 DMN61D9UW-13 DMN61D9UW-7 DMN61D9UWQ-13 DMN61D9UWQ-7 DMN62D0LFB-7 DMN62D0LFB-7B DMN62D0LFD-7 DMN62D0SFD-7 DMN62D0U-13