DMP6185SE-13

配单专家企业名单

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说明
操作

DMP6185SE-13
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
DIODES
SOT-223
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

DMP6185SE-13
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区红荔路3003号上步工业区201栋588
资质：营业执照
8650
DIODES/美台
SOT-223
25+
-
全新原装正品现货，价格优势，假一罚十

DMP6185SE-13
深圳市欧瑞芯电子有限公司
深圳市欧瑞芯电子有限公司
联系人：韩小姐原装、张先生代理、张小姐香港公司
电话：0755-82714889135304089901847561915913682488994
地址：深圳市福田区现代之窗A座11C/香港元朗区宏业西街33号元朗贸易中心206室
资质：营业执照
15000
DIODES/美台
SOT223
25+
-
原装现货全网最低支持实单

DMP6185SE-13
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
2500
DIODES INC.
价格优势
2411
-
全新原装渠道现货

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DMP6185SE-13 技术参数

DMP6101A 功能描述:DC Input Module 10 ~ 36VDC (24VDC Nom) Input 5VDC (3 ~ 6VDC) Supply 制造商:crydom co. 系列:DMP 零件状态:过期类型:DC 颜色:黑样式:SIP 电压 - 输入:10 ~ 36VDC（24VDC标称）电流 - 输入:34mA 逻辑电源电压（输出）:5VDC（3 ~ 6VDC）逻辑电源电流（输出）:18mA 接通时间:5ms 关断时间:5ms 特性:涂有环氧树脂标准包装:1 DMP3120L-7 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 2.8A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:285pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 DMP3036SSS-13 功能描述:MOSFET P-CH 30V 19.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:19.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1931pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-SO 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）标准包装:1 DMP22M2UPS-13 功能描述:MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:476nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:12826pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 毫欧 @ 25A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PowerDI5060-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:1 DMP21D2UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:330mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:49pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1 欧姆 @ 200mA，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:X2-DFN0806-3 封装/外壳:3-XFDFN 标准包装:1 DMP6402A DMPC-X-12 DMPC-X-15 DMPC-Y-12 DMPC-Y-15 DMPF1-485FIB-3K DMPF1-63FIB-3K DMPF2-63FIB-3K DMPF2806PZA DMPF6-63FIB-2K DMPH1006UPS-13 DMPH1006UPSQ-13 DMPH3010LK3-13 DMPH3010LK3Q-13 DMPH3010LPS-13 DMPH3010LPSQ-13 DMPH4015SK3-13 DMPH4015SK3Q-13