DN3545N3-P003-G

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功能描述
MOSFET 450V 20Ohm
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

DN3545N3-P003-G 技术参数

DN-3003 功能描述:ADAPTER USB NETLINK 1.1 VERSION 制造商:assmann wsw components 系列:- 零件状态:过期类型:USB 至 USB 连接器类型:USB-A 至 USB-A 标准包装:1 DN-3002 功能描述:ADAPTER USB LAPLINK 1.1 VERSION 制造商:assmann wsw components 系列:- 零件状态:过期类型:USB 至 USB 连接器类型:USB-A 至 USB-A 标准包装:1 DN1058-471K 功能描述:470μH Unshielded Wirewound Inductor 420mA 1.48 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1058，Coev 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:470μH 容差:±10% 额定电流:420mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.48 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.409" 长 x 0.370" 宽（10.40mm x 9.40mm）高度 - 安装（最大值）:0.228"（5.80mm）标准包装:800 DN1058-470K 功能描述:47μH Unshielded Wirewound Inductor 1.28A 170 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1058，Coev 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:47μH 容差:±10% 额定电流:1.28A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:170 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:2.52MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.409" 长 x 0.370" 宽（10.40mm x 9.40mm）高度 - 安装（最大值）:0.228"（5.80mm）标准包装:800 DN1058-101K 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 970mA 350 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DN1058，Coev 包装:带卷（TR）零件状态:过期类型:绕线材料 - 磁芯:- 电感:100μH 容差:±10% 额定电流:970mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻（DCR）:350 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.409" 长 x 0.370" 宽（10.40mm x 9.40mm）高度 - 安装（最大值）:0.228"（5.80mm）标准包装:800 DN4835-180K DN4835-180M DN4835-1R0M DN4835-1R4M DN4835-1R8M DN4835-220K DN4835-220M DN4835-270K DN4835-270M DN4835-2R2M DN4835-2R7M DN4835-330K DN4835-390K DN4835-3R3K DN4835-3R3M DN4835-3R9K DN4835-3R9M DN4835-470K