DQ1U

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DQ1U 技术参数

DQ1280-4R7M 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 13.5A 16 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:13.5A 电流 - 饱和值:13.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:16 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.504" 长 x 0.504" 宽（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.315"（8.00mm）标准包装:1 DQ1280-471M 功能描述:470μH Shielded Inductor 790mA 980 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:470μH 容差:±20% 额定电流:790mA 电流 - 饱和值:790mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:980 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.504" 长 x 0.504" 宽（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.315"（8.00mm）标准包装:1 DQ1280-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 2.5A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:47μH 容差:±20% 额定电流:2.5A 电流 - 饱和值:2.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:100 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.504" 长 x 0.504" 宽（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.315"（8.00mm）标准包装:1 DQ1280-102M 功能描述:1mH Shielded Inductor 550mA 1.82 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:1mH 容差:±20% 额定电流:550mA 电流 - 饱和值:550mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:1.82 欧姆最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.504" 长 x 0.504" 宽（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.315"（8.00mm）标准包装:1 DQ1280-101M 功能描述:100μH Shielded Inductor 1.7A 220 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DQ1280，Coev 包装:剪切带（CT）零件状态:过期类型:- 材料 - 磁芯:- 电感:100μH 容差:±20% 额定电流:1.7A 电流 - 饱和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:220 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:100kHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准大小/尺寸:0.504" 长 x 0.504" 宽（12.80mm x 12.80mm）高度 - 安装（最大值）:0.315"（8.00mm）标准包装:1 DQ25SC16-04 DQ25SC26-04 DQ2660-7R DQ2660-9R DQ2660-9RG DQ6530-100M DQ6530-101M DQ6530-120M DQ6530-121M DQ6530-150M DQ6530-151M DQ6530-180M DQ6530-181M DQ6530-220M DQ6530-221M DQ6530-270M DQ6530-271M DQ6530-330M