DRV8323RSRGZR

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

DRV8323RSRGZR
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生 13360533550
电话：0755-83289799
地址：深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层香港新界葵兴葵康大厦6楼
资质：营业执照
50043
TI
22+
-
原装原厂现货

DRV8323RSRGZR
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
1600
TI
48-VFQFN
22+
-

DRV8323RSRGZR
深圳市畅洲科技有限公司
深圳市畅洲科技有限公司
联系人：苏小姐
电话：0755-82561407
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场4211B
资质：营业执照
10000
TI(德州仪器)
VQFN-48
22+
-
全新原装正品

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： DRV8323RSRGZT DRV8323SRTAR DRV8323SRTAT DRV8332DKD DRV8332DKDR DRV8332HDDV DRV8402DKD DRV8402DKDEVM DRV8402DKDR

DRV8323RSRGZR PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

DRV8323RSRGZR PDF下载

功能描述
IC 3PHASE GATE DRIVER 48VQFN
制造商
texas instruments
系列
*
零件状态
在售
标准包装
1

DRV8323RSRGZR 技术参数

DRV8323RHRGZT 功能描述:IC 3PHASE GATE DRIVER 48VQFN 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售驱动配置:半桥通道类型:3 相驱动器数:6 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 60 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，1.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，2A 输入类型:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:48-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:48-VQFN（7x7）标准包装:1 DRV8323HRTAT 功能描述:60V THREE-PHASE SMART GATE DRIVE 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售驱动配置:半桥通道类型:3 相驱动器数:6 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 60 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，1.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，2A 输入类型:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:40-WFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:40-WQFN（6x6）标准包装:1 DRV8320SRTVT 功能描述:IC 3PHASE GATE DRIVER 32WQFN 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售驱动配置:半桥通道类型:3 相驱动器数:6 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 60 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，1.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，2A 输入类型:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:32-WFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:32-WQFN（5x5）标准包装:1 DRV8320RSRHAT 功能描述:IC 3PHASE GATE DRIVER 40VQFN 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售驱动配置:半桥通道类型:3 相驱动器数:6 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 60 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，1.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，2A 输入类型:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:40-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:40-VQFN（6x6）标准包装:1 DRV8320RHRHAT 功能描述:IC 3PHASE GATE DRIVER 40VQFN 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售驱动配置:半桥通道类型:3 相驱动器数:6 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:6 V ~ 60 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，1.5V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1A，2A 输入类型:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:40-VFQFN 裸露焊盘供应商器件封装:40-VQFN（6x6）标准包装:1 DRV8412-C2-KIT DRV8412DDW DRV8412DDWEVM DRV8412DDWR DRV8432DKD DRV8432DKDR DRV8432EVM DRV8601DRBR DRV8601DRBT DRV8601ZQVEVM DRV8601ZQVR DRV8662EVM DRV8662RGPR DRV8662RGPT DRV8701ERGER DRV8701ERGET DRV8701EVM DRV8701PRGER