DS1330ABP-100-IND

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制造商
DALLAS
制造商全称
Dallas Semiconductor
功能描述
256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

DS1330ABP-100-IND 技术参数

DS1330ABP-100+ 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1330ABP-100 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube DS1321S+T&R 功能描述:IC CTRLR NV W/BATT MON 5V 16SOIC RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM）电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 DS1321S+ 功能描述:存储器控制器 Flexible NV Cntlr w/Lithium Battery RoHS:否制造商:Maxim Integrated DS1321S/T&R 功能描述:IC CTRLR NV W/BATT MON 5V 16SOIC RoHS:否类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM）电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 DS1330WP-100IND+ DS1330WP-150 DS1330WP-150+ DS1330YL-100 DS1330YL-70 DS1330YL-70IND DS1330YP-100 DS1330YP-100+ DS1330YP-70 DS1330YP-70+ DS1330YP-70IND DS1330YP-70IND+ DS1336 DS1336N DS1336S DS1336S/T&R DS1336SN DS1337